Innodisk M3CW-4

M3CW-4GSJ5C0C-F, M3CW-4GSJ5CM7-F, M3CW-4GSJ5CN9-F, M3CW-4GSS4C0C-D, M3CW-4GSS4C0C-E, M3CW-4GSS4CM7-D, M3CW-4GSS4CM7-E, M3CW-4GSS4CN9-D, M3CW-4GSS4CN9-E

DDR3

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PRODUKT-FEATURES

DIMM
DDR3
ECC
4 GB
[256Mx8 | 512Mx8]
[1066 | 1333 | -]
1.50V

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Basismodul: Innodisk M3CW-4

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM3CW-4M3CW-4GSJ5C0C-F, M3CW-4GSJ5CM7-F, M3CW-4GSJ5CN9-F, M3CW-4GSS4C0C-D, M3CW-4GSS4C0C-E, M3CW-4GSS4CM7-D, M3CW-4GSS4CM7-E, M3CW-4GSS4CN9-D, M3CW-4GSS4CN9-E
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau240 Pin DIMM DDR3
Memory TypeDDR3
DIMM TypeECC Unbuffered DIMM
IC Data RateDDR3-1600 1.35V
Kapazität4 GB
IC BrandSamsung
IC Organization256Mx8, 512Mx8
PCB S/N4, 5
GradeCommercial
CL7, 9, 11
DIMM DatarateDDR3-1066, DDR3-1333, Original specification
Die VersionD, E, F
ECCwird unterstützt
Bestückung Dual-Rank, Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS
Temperaturbereich0°C ~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Tiefe133 mm
Höhe19 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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