Innodisk M4DE

M4DE-4GSSIC0M-F, M4DE-4GSSICUN-F, M4DE-8GS1I50M-G, M4DE-8GS1I5IK-G, M4DE-8GS1I5SJ-G, M4DE-8GS1I5UN-G, M4DE-8GS1IC0M-C, M4DE-8GS1IC0M-G, M4DE-8GS1ICIK-G, M4DE-8GS1ICSJ-G, M4DE-8GS1ICUN-C, M4DE-8GS1ICUN-G

DDR4 VLP

PRODUKT-FEATURES

SO-DIMM
DDR4
ECC
[4 GB | 8 GB]
[1Gx8 | 512Mx8]
[2400 | 2666 | 2933 | 3200]
1.2V

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Basismodul: Innodisk M4DE

Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR4 VLP-M4DEM4DE-4GSSIC0M-F, M4DE-4GSSICUN-F, M4DE-8GS1I50M-G, M4DE-8GS1I5IK-G, M4DE-8GS1I5SJ-G, M4DE-8GS1I5UN-G, M4DE-8GS1IC0M-C, M4DE-8GS1IC0M-G, M4DE-8GS1ICIK-G, M4DE-8GS1ICSJ-G, M4DE-8GS1ICUN-C, M4DE-8GS1ICUN-G
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeECC Unbuffered SO DIMM
Kapazität4 GB, 8 GB
IC BrandSamsung
IC Organization1Gx8, 512Mx8
GradeCommercial, Wide Temperature
CL17, 19, 21, 22
DIMM Datarate2400, 2666, 2933, 3200
Die VersionC, F, G
ECCwird unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C, -40° bis 85°C (sorting wide)
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Breite69,6 mm
Höhe17,78 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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