Innodisk ACT4GHR72N8J

ACT4GHR72N8J1333M-LVP, ACT4GHR72N8J1333M-VLP, ACT4GHR72N8J1333S-LVP, ACT4GHR72N8J1333S-VLP, ACT4GHR72N8J1600M-LVP, ACT4GHR72N8J1600M-VLP, ACT4GHR72N8J1600S-LVP, ACT4GHR72N8J1600S-VLP

DDR3

PRODUKT-FEATURES

DIMM
DDR3
ECC
4 GB
512Mx8
[1600 | 1333]
[1.35V | 1.50V]

KONFIGURATION

Bitte konfigurieren Sie Ihr Wunschprodukt.
Standardkonfiguration Individualkonfiguration

PRODUKTPREIS

Für Ihre persönlichen Preis- und Lieferkonditionen bitte einloggen.

Verkauf nur an gewerbliche Kunden.
Lieferzeit: auf Anfrage

PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk ACT4GHR72N8J

Allgemein
SKU / ArtikelnummerACT4GHR72N8JACT4GHR72N8J1333S-LVP, ACT4GHR72N8J1333S-VLP, ACT4GHR72N8J1600S-LVP, ACT4GHR72N8J1600S-VLP, ACT4GHR72N8J1333M-LVP, ACT4GHR72N8J1333M-VLP, ACT4GHR72N8J1600M-LVP, ACT4GHR72N8J1600M-VLP
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau240 Pin DIMM DDR3 / DDR3L
Memory TypeDDR3
DIMM TypeRegistered DIMM
IC Data Rate1600, DDR3-1333
Kapazität4 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization512Mx8
GradeCommercial
CL9, 11
DIMM Datarate1600, DDR3-1333
ECCwird unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.35V, 1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Tiefe133 mm
Höhe19 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
LinkedIn Twitter Facebook