Innodisk M3CW-4GSS1

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DDR3

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PRODUKT-FEATURES

DIMM
DDR3
ECC
4 GB
512Mx8
[1066 | 1333 | -]
[1.35V | 1.50V]

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PRODUKTINFORMATIONEN
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Basismodul: Innodisk M3CW-4GSS1

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM3CW-4GSS1M3CW-4GSS140C-D, M3CW-4GSS140C-E, M3CW-4GSS14M7-D, M3CW-4GSS14M7-E, M3CW-4GSS14N9-D, M3CW-4GSS14N9-E, M3CW-4GSS150C-D, M3CW-4GSS150C-E, M3CW-4GSS15M7-D, M3CW-4GSS15M7-E, M3CW-4GSS15N9-D, M3CW-4GSS15N9-E
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau240 Pin DIMM DDR3 / DDR3L
Memory TypeDDR3
DIMM TypeECC Unbuffered DIMM
IC Data RateDDR3-1600 1.35V
Kapazität4 GB
IC BrandSamsung
IC Organization512Mx8
PCB S/N1
GradeLow Voltage Wide Temperature -40~+85°C, Wide Temperature -40~+85°C
CL7, 9, 11
DIMM DatarateDDR3-1066, DDR3-1333, Original specification
Die VersionD, E
ECCwird unterstützt
Bestückung Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS
Temperaturbereich-40°C ~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.35V, 1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb-40° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Tiefe133 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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