Innodisk M4SE

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DDR4 WT

PRODUKT-FEATURES

SO-DIMM
DDR4
[4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB]
[1Gx8 | 2Gx8 | 512Mx8]
[2666 | 2933 | 3200]
1.2V

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Basismodul: Innodisk M4SE

Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR4 WT-M4SEM4SE-4GSSNI0M-F, M4SE-4GSSNIUN-F, M4SE-8GSSOI0M-F, M4SE-8GSSOIUN-F, M4SE-8GS1NI0M-C, M4SE-8GS1NIUN-C, M4SE-AGS1OI0M-C, M4SE-AGS1OIUN-C, M4SE-BGS2OI0M-A, M4SE-BGS2OIUN-A, M4SE-8GM1NI0M-R, M4SE-8GM1NIIK-R, M4SE-8GM1NIUN-R, M4SE-AGM1OI0M-R, M4SE-AGM1OIIK-R, M4SE-AGM1OIUN-R
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
Kapazität4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization1Gx8, 2Gx8, 512Mx8
GradeWide Temperature
CL19, 21, 22
DIMM Datarate2666, 2933, 3200
Die VersionA, C, F, R
ECCwird nicht unterstützt
Bestückung Dual-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval3.9 µS
Temperaturbereich-40°C ~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb-40° bis 85°C (wide)
Lagerung-55° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Breite69,6 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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