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|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
S |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
S |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
S |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
S |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
S |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
S |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
S |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
S |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
S |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
S |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
T |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4C0-8GSSTCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
T |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4C0-8GSSTCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
T |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4C0-8GSSTCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
T |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4C0-8GSSTCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
T |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4C0-AGS1TCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
T |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4C0-AGS1TCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
T |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4C0-AGS1TCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
T |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4C0-AGS1TCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
T |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4C0-AGS1TCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
T |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
T |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4C0-BGM2TCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
T |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4C0-BGS2TCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
T |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4C0-BGS2TCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
T |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4C0-BGS2TCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
T |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |