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SO-DIMM, DDR3, 2 GB, 256Mx8, 1333, 1.50V
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System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
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CL |
9 |
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IC Organization |
256Mx8 |
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IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
DDR3-1333 |
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SO-DIMM, DDR3, 2 GB, 256Mx8, 1600, 1.50V
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System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
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|
CL |
11 |
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IC Organization |
256Mx8 |
|
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IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
1600 |
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SO-DIMM, DDR3, 4 GB, 256Mx8, 1333, 1.50V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
9 |
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IC Organization |
256Mx8 |
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|
IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
DDR3-1333 |
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SO-DIMM, DDR3, 4 GB, 256Mx8, 1600, 1.50V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
11 |
|
|
IC Organization |
256Mx8 |
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IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
1600 |
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SO-DIMM, DDR3, 4 GB, 256Mx8, 1866, 1.50V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
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CL |
13 |
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IC Organization |
256Mx8 |
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IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
1866 |
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SO-DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1333, 1.50V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
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|
CL |
9 |
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IC Organization |
512Mx8 |
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|
IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
DDR3-1333 |
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SO-DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1600, 1.50V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
11 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
1600 |
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SO-DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1333, 1.50V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
9 |
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IC Organization |
512Mx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
DDR3-1333 |
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SO-DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1600, 1.50V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
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CL |
11 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
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IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
1600 |
Innodisk M3S0-8GMSUCN9 Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1333, 1.50V
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System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
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|
CL |
9 |
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IC Organization |
512Mx8 |
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|
IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
DDR3-1333 |
Innodisk M3S0-8GMSUCPC Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1600, 1.50V
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System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
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CL |
11 |
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IC Organization |
512Mx8 |
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IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
1600 |
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SO-DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1866, 1.50V
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System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
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CL |
13 |
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IC Organization |
512Mx8 |
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IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
1866 |
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SO-DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1333, 1.50V
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System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
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CL |
9 |
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IC Organization |
512Mx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
DDR3-1333 |
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SO-DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1600, 1.50V
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System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
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|
CL |
11 |
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IC Organization |
512Mx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
1600 |
Innodisk M3S0-8GSSUCQE Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1866, 1.50V
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System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
13 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
1866 |