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DDR4
SO-DIMM
DDR4
[2 GB | 4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB]
[1Gx8 | 1Gx16 | 2Gx8 | 256Mx16 | 512Mx8 | 512Mx16]
[2133 | 2400 | 2666 | 2933 | 3200]
1.2V
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Basismodul: Innodisk M4SE
| Allgemein | ||||
| SKU / Artikelnummer | M4SEM4SE-4GSSNC0M-F, M4SE-4GSSNCUN-F, M4SE-8GS1NC0M-C, M4SE-8GS1NCUN-C, M4SE-8GSSOC0M-F, M4SE-8GSSOCUN-F, M4SE-AGS1OC0M-C, M4SE-AGS1OCUN-C, M4SE-BGS2OC0M-A, M4SE-BGS2OC0M-C, M4SE-BGS2OCUN-A, M4SE-BGS2OCUN-C, M4SE-AGS2NC0M-A, M4SE-AGS2NC0M-C, M4SE-AGS2NCUN-A, M4SE-AGS2NCUN-C, M4SE-4GSXZC0M-C, M4SE-4GSXZCUN-C, M4SE-8GSYZC0M-A, M4SE-8GSYZC0M-C, M4SE-8GSYZCUN-A, M4SE-8GSYZCUN-C, M4SE-8GSYZCRG-A, M4SE-AGSY8C0M-C, M4SE-AGSY8CRG-A, M4SE-AGSY8CRG-C, M4SE-AGSY8CUN-C, M4SE-8GSYZCSJ-A, M4SE-8GSYZCSJ-C, M4SE-AGS2NCSJ-C, M4SE-AGSY8CSJ-A, M4SE-AGSY8CSJ-C, M4SE-BGS2OCSJ-C, M4SE-8GSYZCIK-A, M4SE-8GSYZCIK-C, M4SE-AGS2NCIK-C, M4SE-AGSY8CIK-A, M4SE-AGSY8CIK-C, M4SE-BGS2OCIK-C, M4SE-2GSVZC0M-F, M4SE-2GSVZCUN-F, M4SE-2GSVZC0M-G, M4SE-2GSVZCIK-G, M4SE-2GSVZCSJ-G, M4SE-2GSVZCUN-G, M4SE-4GSSNC0M-G, M4SE-4GSSNCIK-G, M4SE-4GSSNCSJ-G, M4SE-4GSSNCUN-G, M4SE-4GSXZC0M-G, M4SE-4GSXZCIK-G, M4SE-4GSXZCSJ-G, M4SE-4GSXZCUN-G, M4SE-8GS1NC0M-G, M4SE-8GS1NCIK-G, M4SE-8GS1NCSJ-G, M4SE-8GS1NCUN-G, M4SE-8GSSOC0M-G, M4SE-8GSSOCIK-G, M4SE-8GSSOCSJ-G, M4SE-8GSSOCUN-G, M4SE-AGS1OC0M-G, M4SE-AGS1OCIK-G, M4SE-AGS1OCSJ-G, M4SE-AGS1OCUN-G, M4SE-4GSV8C0M-G, M4SE-4GSV8CIK-G, M4SE-4GSV8CRG-G, M4SE-4GSV8CSJ-G, M4SE-4GSV8CUN-G, M4SE-8GSX8C0M-G, M4SE-8GSX8CIK-G, M4SE-8GSX8CRG-G, M4SE-8GSX8CSJ-G, M4SE-8GSX8CUN-G | |||
| Produktgrunddaten | ||||
| Hersteller | Innodisk | |||
| System | ||||
| Speicher | Aufbau | 260 Pin SO-DIMM DDR4 | ||
| Memory Type | DDR4 | |||
| DIMM Type | Unbuffered SO-DIMM | |||
| IC Data Rate | 3200 | |||
| Kapazität | 2 GB, 4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| IC Organization | 1Gx8, 1Gx16, 2Gx8, 256Mx16, 512Mx8, 512Mx16 | |||
| PCB S/N | 8, N, O, Z | |||
| Grade | Commercial | |||
| CL | 15, 17, 19, 21, 22 | |||
| DIMM Datarate | 2133, 2400, 2666, 2933, 3200 | |||
| Die Version | A, C, F, G | |||
| ECC | wird nicht unterstützt | |||
| Stromversorgung | ||||
| Eingangsspannung | 1.2V | |||
| Mechanik / Umgebung | ||||
| Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | ||
| Lagerung | -50° bis 100°C | |||
| Relative Luftfeuchtigkeit | Betrieb | 10 bis 90%, nicht kondensierend | ||
| Lagerung | 5 bis 95%, nicht kondensierend | |||
| Abmaße | Formfaktor | SO-DIMM | ||
| Tiefe | 70 mm | |||
| Höhe | 30 mm | |||
| Zertifikate / Konformitäten | ||||
| CE | Ja | |||
| RoHS konform | Ja | |||
| End of Life (EOL) | |
| Key Characteristics of the Change: Due to changes in supply conditions, Innodisk hereby announces the product change plan for all DDR4 Samsung 1xnm IC assembled modules Customer Impact of Change and Recommended Action To minimize the impact of product supply, we suggest speeding up the transition from 1xnm to 1znm IC. We will support you in making this transition smoothly to ensure a seamless process. Please contact Innodisk sales if you have any inquiries. | |
| Revision: | D240516 |
| Revision date: | 24. Mai 2024 |
| Last purchase date: | 30. Juni 2025 |
| Last shipping date: | 30. September 2025 |
| Betroffene Produkte: |
M4CE-4GSSLW0M-F, M4CE-8GS1SC0M-C, M4CE-8GSSMW0M-F, M4CE-AGS1MW0M-C, M4CE-AGS1TC0M-C, M4CI-4GSSLC0K-F, M4CI-4GSSLCRG-F, M4CI-4GSSLCSJ-F, M4CI-4GSSLW0K-F, M4CI-4GSSLWSJ-F, M4CI-4GSSSC0K-F, M4CI-4GSSSCRG-F, M4CI-4GSSSCSJ-F, M4CI-8GS1LC0K-C, M4CI-8GS1LCRG-C, M4CI-8GS1LCSJ-C, M4CI-8GS1SC0K-C, M4CI-8GS1SCSJ-C, M4CI-8GSSMC0K-F, M4CI-8GSSMCRG-F, M4CI-8GSSMCSJ-F, M4CI-8GSSMWSJ-F, M4CI-8GSSTC0K-F, M4CI-8GSSTCRG-F, M4CI-8GSSTCSJ-F, M4CI-AGS1MC0K-C, M4CI-AGS1MCRG-C, M4CI-AGS1MCSJ-C, M4CI-AGS1MWSJ-C, M4CI-AGS1TC0K-C, M4CI-AGS1TCSJ-C, M4CI-BGS2T50K-A, M4CI-BGS2TC0K-A, M4DE-2GSVPC0M-F, M4DE-4GSSIC0M-F, M4DE-4GSSPC0M-F, M4DE-4GSSPCUN-F, M4DE-4GSSPW0M-F, M4DE-4GSXPC0M-C, M4DE-8GS1IC0M-C, M4DE-8GS1PC0M-C, M4DE-8GS1PCUN-C, M4DE-8GS1PW0M-C, M4DE-8GSSQC0M-F, M4DE-8GSSQCUN-F, M4DE-8GSSQW0M-F, M4DE-8GSSQWUN-F, M4DE-8GSYPC0M-A, M4DE-AGS1QC0M-C, M4DE-AGS1QCIK-C, M4DE-AGS1QCUN-C, M4DE-AGS1QW0M-C, M4DE-AGS1QWUN-C, M4DE-AGS2PC0M-A, M4DE-AGS2PCUN-A, M4DE-BGS2QC0M-A, M4DE-BGS2QCUN-A, M4DE-BGS2QW0M-A, M4DE-BGS2QWUN-A, M4DI-2GSVPC0K-F, M4DI-4GSSIC0K-F, M4DI-4GSSICSJ-F, M4DI-4GSSPC0K-F, M4DI-4GSSPCRG-F, M4DI-4GSSPCSJ-F, M4DI-4GSSPWRG-F, M4DI-4GSSPWSJ-F, M4DI-8GS1IC0K-C, M4DI-8GS1PC0K-C, M4DI-8GS1PCRG-C, M4DI-8GS1PCSJ-C, M4DI-8GS1PW0K-C, M4DI-8GS1PWRG-C, M4DI-8GS1PWSJ-C, M4DI-8GSSQC0K-F, M4DI-8GSSQCRG-F, M4DI-8GSSQCSJ-F, M4DI-8GSSQW0K-F, M4DI-8GSSQWRG-F, M4DI-8GSSQWSJ-F, M4DI-AGS1QC0K-C, M4DI-AGS1QCRG-C, M4DI-AGS1QCSJ-C, M4DI-AGS1QW0K-C, M4DI-AGS1QWRG-C, M4DI-AGS1QWSJ-C, M4DI-BGS2QC0K-A, M4GI-8GSSQ50K-F, M4GI-AGS1Q50K-C, M4GI-BGS2Q50K-A, M4ME-8GS19CIK-C, M4ME-AGS29CIK-A, M4MI-4GSS5CSJ-F, M4MI-4GSSXCSJ-F, M4MI-8GS15CSJ-C, M4MI-8GS1XCSJ-C, M4MI-8GSSYCSJ-F, M4MI-AGS17CSJ-C, M4MI-AGS1YCSJ-C, M4RE-4GSSA50M-F, M4RE-8GS1A50M-C, M4RE-8GSSB50M-F, M4RE-8GSSB5UN-F, M4RE-AGS1B50M-C, M4RE-AGS1B5UN-C, M4RE-AGS1DC0M-C, M4RE-AGS1DCUN-C, M4RE-AGS2A50M-A, M4RE-AGS2CC0M-A, M4RE-AGS2CCUN-A, M4RE-BGS2B50M-A, M4RE-BGS2B5UN-A, M4RE-BGS2DC0M-A, M4RE-BGS2DCUN-A, M4RI-4GSSA50K-F, M4RI-4GSSA5SJ-F, M4RI-4GSSCCRG-F, M4RI-4GSSCCSJ-F, M4RI-8GS1A50K-C, M4RI-8GS1A5RG-C, M4RI-8GS1A5SJ-C, M4RI-8GS1CCSJ-C, M4RI-8GSSB50K-F, M4RI-8GSSDC0K-F, M4RI-8GSSDCRG-F, M4RI-8GSSDCSJ-F, M4RI-AGS1B50K-C, M4RI-AGS1DC0K-C, M4RI-AGS1DCRG-C, M4RI-AGS1DCSJ-C, M4RI-BGS2B50K-A, M4RI-BGS2DC0K-A, M4RI-BGS3G50K-C, M4RI-BGS3G5RG-C, M4RI-BGS3G5SJ-C, M4SE-2GSVZC0M-F, M4SE-4GSSNC0M-F, M4SE-4GSSNI0M-F, M4SE-4GSSNIUN-F, M4SE-4GSXZC0M-C, M4SE-4GSXZCUN-C, M4SE-8GS13C0M-C, M4SE-8GS1NC0M-C, M4SE-8GS1NCUN-C, M4SE-8GS1NI0M-C, M4SE-8GS1NIUN-C, M4SE-8GSSOC0M-F, M4SE-8GSSOCUN-F, M4SE-8GSSOI0M-F, M4SE-8GSSOIUN-F, M4SE-8GSYZC0M-A, M4SE-8GSYZCIK-A, M4SE-8GSYZCRG-A, M4SE-8GSYZCSJ-A, M4SE-AGS1OC0M-C, M4SE-AGS1OCUN-C, M4SE-AGS1OI0M-C, M4SE-AGS1OIUN-C, M4SE-AGS2NC0M-A, M4SE-AGS2NCUN-A, M4SE-AGSY8CIK-A, M4SE-AGSY8CRG-A, M4SE-AGSY8CSJ-A, M4SE-BGS2OC0M-A, M4SE-BGS2OCUN-A, M4SE-BGS2OI0M-A, M4SE-BGS2OIUN-A, M4SI-2GSVZC0K-F, M4SI-2GSVZCRG-F, M4SI-2GSVZCSJ-F, M4SI-4GSS3C0K-F, M4SI-4GSS3CRG-F, M4SI-4GSS3CSJ-F, M4SI-4GSSNC0K-F, M4SI-4GSSNCRG-F, M4SI-4GSSNCSJ-F, M4SI-4GSSNI0K-F, M4SI-4GSSNIRG-F, M4SI-4GSSNISJ-F, M4SI-4GSV8C0K-F, M4SI-4GSV8CRG-F, M4SI-4GSV8CSJ-F, M4SI-4GSXZC0K-C, M4SI-4GSXZCRG-C, M4SI-4GSXZCSJ-C, M4SI-8GS13C0K-C, M4SI-8GS13CRG-C, M4SI-8GS13CSJ-C, M4SI-8GS1NC0K-C, M4SI-8GS1NCRG-C, M4SI-8GS1NCSJ-C, M4SI-8GS1NI0K-C, M4SI-8GS1NIRG-C, M4SI-8GS1NISJ-C, M4SI-8GSSOC0K-F, M4SI-8GSSOCRG-F, M4SI-8GSSOCSJ-F, M4SI-8GSSOI0K-F, M4SI-8GSSOIRG-F, M4SI-8GSSOISJ-F, M4SI-8GSX8C0K-C, M4SI-8GSX8CRG-C, M4SI-8GSX8CSJ-C, M4SI-AGS1OC0K-C, M4SI-AGS1OCRG-C, M4SI-AGS1OCSJ-C, M4SI-AGS1OI0K-C, M4SI-AGS1OIRG-C, M4SI-AGS1OISJ-C, M4SI-BGS2OC0K-A, M4SS-AGS1O5RG-B, M4UE-4GSSJC0M-F, M4UE-4GSSJCUN-F, M4UE-4GSSJI0M-F, M4UE-4GSX1C0M-C, M4UE-4GSX1CUN-C, M4UE-4GSX8C0M-C, M4UE-8GS1JC0M-C, M4UE-8GS1JCUN-C, M4UE-8GS1JI0M-C, M4UE-8GS1VC0M-C, M4UE-8GS1VCUN-C, M4UE-8GSSKC0M-F, M4UE-8GSSKCUN-F, M4UE-8GSSKI0M-F, M4UE-8GSX2C0M-C, M4UE-8GSX2CUN-C, M4UE-8GSY1C0M-A, M4UE-8GSY1CIK-A, M4UE-8GSY1CUN-A, M4UE-AGS1KC0M-C, M4UE-AGS1KCUN-C, M4UE-AGS1KI0M-C, M4UE-AGS1WCUN-C, M4UE-AGSY2C0M-A, M4UE-AGSY2CIK-A, M4UE-AGSY2CSJ-A, M4UE-AGSY2CUN-A, M4UE-BGS2KC0M-A, M4UE-BGS2KCUN-A, M4UE-BGS2KI0M-A, M4UE-BGS2WC0M-A, M4UE-BGS2WCUN-A, M4UI-4GSSJI0K-F, M4UI-4GSSJIRG-F, M4UI-4GSSJISJ-F, M4UI-4GSSVC0K-F, M4UI-4GSSVCRG-F, M4UI-4GSSVCSJ-F, M4UI-4GSX8C0K-C, M4UI-4GSX8CSJ-C, M4UI-8GS1JI0K-C, M4UI-8GS1JISJ-C, M4UI-8GS1VCRG-C, M4UI-8GSSKI0K-F, M4UI-8GSSKIRG-F, M4UI-8GSSKISJ-F, M4UI-8GSSWC0K-F, M4UI-8GSSWCRG-F, M4UI-8GSSWCSJ-F, M4UI-8GSSWIRG-F, M4UI-8GSSWISJ-F, M4UI-AGS1KI0K-C, M4UI-AGS1KIRG-C, M4UI-AGS1KISJ-C, M4UI-AGS1WC0K-C, M4UI-AGS1WCRG-C, M4UI-AGS1WCSJ-C, M4UI-AGS1WIRG-C, M4UI-AGS1WISJ-C, M4UI-BGS2WC0K-A
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| Hinweis Dokument: | [PCN_D240516] DDR4 product change notice from Samsung 1xnm IC to 1znm IC.pdf |
Innodisk M4SE-2GSVZC0M-F (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 3200, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 | |||
| Die Version | F | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-2GSVZC0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 3200, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-2GSVZCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2666, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2666 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-2GSVZCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2400, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2400 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-2GSVZCUN-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2933, 1.2V
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||||
| System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 | |||
| Die Version | F | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-2GSVZCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2933, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSSNC0M-F (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 | |||
| Die Version | F | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSSNC0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSSNCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2666 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSSNCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2400 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSSNCUN-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 | |||
| Die Version | F | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSSNCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSV8C0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 3200, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSV8CIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2666, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2666 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSV8CRG-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2133, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 15 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2133 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSV8CSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2400, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2400 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSV8CUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2933, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 256Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 3200, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSXZC0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 3200, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSXZCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2666, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2666 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
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|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2400, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2400 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSXZCUN-C (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2933, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSXZCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2933, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GS1NC0M-C (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GS1NC0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GS1NCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2666 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GS1NCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2400 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GS1NCUN-C (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GS1NCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSSOC0M-F (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 | |||
| Die Version | F | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSSOC0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSSOCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2666 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSSOCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
|
||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2400 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSSOCUN-F (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 | |||
| Die Version | F | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSSOCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
|
||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 512Mx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSX8C0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
|
||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 3200, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSX8CIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
|
||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2666, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2666 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSX8CRG-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
|
||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2133, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 15 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2133 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSX8CSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
|
||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2400, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2400 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSX8CUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
|
||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2933, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 512Mx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSYZC0M-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
|
||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 3200, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 | |||
| Die Version | A | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSYZC0M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
|
||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 3200, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSYZCIK-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2666, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2666 | |||
| Die Version | A | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSYZCIK-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
|
||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2666, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2666 | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSYZCRG-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2133, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 15 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2133 | |||
| Die Version | A | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSYZCSJ-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
|
||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2400, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2400 | |||
| Die Version | A | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSYZCSJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2400, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2400 | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSYZCUN-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2933, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 | |||
| Die Version | A | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSYZCUN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
|
||||
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2933, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | Z | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS1OC0M-C (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS1OC0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS1OCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2666 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS1OCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2400 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS1OCUN-C (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS1OCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 1Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 | |||
| Die Version | G | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS2NC0M-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 | |||
| Die Version | A | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS2NC0M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS2NCIK-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2666 | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS2NCSJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 2400, 1.2V
|
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2400 | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS2NCUN-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 | |||
| Die Version | A | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS2NCUN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | N | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGSY8C0M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 3200, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGSY8CIK-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2666, 1.2V
|
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2666 | |||
| Die Version | A | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGSY8CIK-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2666, 1.2V
|
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2666 | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGSY8CRG-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2133, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 15 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2133 | |||
| Die Version | A | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGSY8CRG-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2133, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 15 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2133 | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGSY8CSJ-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2400, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2400 | |||
| Die Version | A | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGSY8CSJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2400, 1.2V
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||||
| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2400 | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGSY8CUN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2933, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 1Gx16 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | 8 | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-BGS2OC0M-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
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||||
| System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 | |||
| Die Version | A | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
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SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
| CL | 22 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 3200 | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-BGS2OCIK-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
|
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
| CL | 19 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2666 | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
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||||
|
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2400, 1.2V
|
||||
| System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
| CL | 17 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2400 | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
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SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 | |||
| Die Version | A | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
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|
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
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| System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
| CL | 21 | |||
| IC Organization | 2Gx8 | |||
| IC Brand | Samsung | |||
| Grade | Commercial | |||
| DIMM Datarate | 2933 | |||
| Die Version | C | |||
| PCB S/N | O | |||
| Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
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