Innodisk VLP M3UT

M3UT-2GMJNC0E-K, M3UT-2GMJNCN9-K, M3UT-2GMJNCPC-K, M3UT-4GMJGCM7-K, M3UT-4GMJGCN9-K, M3UT-4GMJGCPC-K, M3UT-4GMSNC0E-P, M3UT-4GMSNCN9-P, M3UT-4GMSNCPC-P, M3UT-4GSSNC0E-E, M3UT-4GSSNCN9-E, M3UT-4GSSNCPC-E, M3UT-8GMSGCN9-P, M3UT-8GMSGCPC-P, M3UT-8GSSGCM7-E, M3UT-8GSSGCN9-E, M3UT-8GSSGCPC-E

DDR3

PRODUKT-FEATURES

DIMM
DDR3
[2 GB | 4 GB | 8 GB]
[256Mx8 | 512Mx8]
[1600 | 1866 | 1066 | 1333]

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk VLP M3UT

Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR3-VLP M3UTM3UT-2GMJNC0E-K, M3UT-2GMJNCN9-K, M3UT-2GMJNCPC-K, M3UT-4GMJGCM7-K, M3UT-4GMJGCN9-K, M3UT-4GMJGCPC-K, M3UT-4GMSNC0E-P, M3UT-4GMSNCN9-P, M3UT-4GMSNCPC-P, M3UT-4GSSNC0E-E, M3UT-4GSSNCN9-E, M3UT-4GSSNCPC-E, M3UT-8GMSGCN9-P, M3UT-8GMSGCPC-P, M3UT-8GSSGCM7-E, M3UT-8GSSGCN9-E, M3UT-8GSSGCPC-E
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau240 Pin DIMM DDR3
Memory TypeDDR3
DIMM TypeUnbuffered DIMM
Kapazität2 GB, 4 GB, 8 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization256Mx8, 512Mx8
PCB S/NG, N
GradeCommercial 0° ~ 85°C
CL7, 9, 11, 13
DIMM Datarate1600, 1866, DDR3-1066, DDR3-1333
Die VersionE, K, P
ECCwird nicht unterstützt
Mechanik / Umgebung
TemperaturLagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Tiefe133,35 mm
Höhe18,75 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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