Innodisk M3UT VLP

M3UT-2GMJNC0E-K, M3UT-2GMJNCN9-K, M3UT-2GMJNCPC-K, M3UT-4GMJGCM7-K, M3UT-4GMJGCN9-K, M3UT-4GMJGCPC-K, M3UT-4GMSNC0E-P, M3UT-4GMSNCN9-P, M3UT-4GMSNCPC-P, M3UT-4GSSNC0E-E, M3UT-8GMSGCN9-P, M3UT-8GMSGCPC-P, M3UT-8GSSGCM7-E, M3UT-4GSSNCN9-E, M3UT-4GSSNCPC-E, M3UT-8GSSGCN9-E, M3UT-8GSSGCPC-E

DDR3

PRODUKT-FEATURES

// DIMM
// DDR3
// [2 GB | 4 GB | 8 GB]
// [256Mx8 | 512Mx8]
// [1066 (DDR3) | 1333 | 1600 | 1866] MT/s
// 1.50V

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk M3UT VLP

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM3UT VLPM3UT-2GMJNC0E-K, M3UT-2GMJNCN9-K, M3UT-2GMJNCPC-K, M3UT-4GMJGCM7-K, M3UT-4GMJGCN9-K, M3UT-4GMJGCPC-K, M3UT-4GMSNC0E-P, M3UT-4GMSNCN9-P, M3UT-4GMSNCPC-P, M3UT-4GSSNC0E-E, M3UT-4GSSNCN9-E, M3UT-4GSSNCPC-E, M3UT-8GMSGCN9-P, M3UT-8GMSGCPC-P, M3UT-8GSSGCM7-E, M3UT-8GSSGCN9-E, M3UT-8GSSGCPC-E
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau240 Pin DIMM DDR3
Memory TypeDDR3
DIMM TypeUnbuffered DIMM
Kapazität2 GB, 4 GB, 8 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization256Mx8, 512Mx8
PCB S/NG, N
GradeCommercial
CL7, 9, 11, 13
DIMM Datarate1066 (DDR3) MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s
Die VersionE, K, P
ECCwird nicht unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Breite133,35 mm
Höhe18,75 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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