Innodisk DDR3L VLP M3CT

M3CT-2GMJ4L0E-K, M3CT-2GMJ4LN9-K, M3CT-2GMJ4LPC-K, M3CT-4GMJ5L0E-K, M3CT-4GMJ5LN9-K, M3CT-4GMJ5LPC-K, M3CT-4GMS4L0E-P, M3CT-4GMS4LN9-P, M3CT-4GMS4LPC-P, M3CT-4GSS4L0E-E, M3CT-4GSS4LN9-E, M3CT-4GSS4LPC-E, M3CT-8GMS5L0E-P, M3CT-8GMS5LN9-P, M3CT-8GMS5LPC-P, M3CT-8GSS5L0E-E, M3CT-8GSS5LN9-E, M3CT-8GSS5LPC-E

DDR3

PRODUKT-FEATURES

DIMM
DDR3
ECC
[2 GB | 4 GB | 8 GB]
[256Mx8 | 512Mx8]
[1600 | 1866 | 1333]
1.35V

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk DDR3L VLP M3CT

Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR3-DDR3L VLP M3CTM3CT-2GMJ4L0E-K, M3CT-2GMJ4LN9-K, M3CT-2GMJ4LPC-K, M3CT-4GMJ5L0E-K, M3CT-4GMJ5LN9-K, M3CT-4GMJ5LPC-K, M3CT-4GMS4L0E-P, M3CT-4GMS4LN9-P, M3CT-4GMS4LPC-P, M3CT-4GSS4L0E-E, M3CT-4GSS4LN9-E, M3CT-4GSS4LPC-E, M3CT-8GMS5L0E-P, M3CT-8GMS5LN9-P, M3CT-8GMS5LPC-P, M3CT-8GSS5L0E-E, M3CT-8GSS5LN9-E, M3CT-8GSS5LPC-E
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau240 Pin DIMM DDR3L
Memory TypeDDR3
DIMM TypeECC Unbuffered DIMM
Kapazität2 GB, 4 GB, 8 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization256Mx8, 512Mx8
GradeCommercial 0° ~ 85°C
CL9, 11, 13
DIMM Datarate1600, 1866, DDR3-1333
Die VersionE, K, P
ECCwird unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.35V
Mechanik / Umgebung
TemperaturLagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Breite133,35 mm
Höhe18,75 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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