Innodisk DDR3L VLP M3UT

M3UT-2GMJNL0E-K, M3UT-2GMJNLN9-K, M3UT-2GMJNLPC-K, M3UT-4GMJGLM7-K, M3UT-4GMJGLN9-K, M3UT-4GMJGLPC-K, M3UT-4GMSNL0E-P, M3UT-4GMSNLN9-P, M3UT-4GMSNLPC-P, M3UT-4GSSNL0E-E, M3UT-4GSSNLN9-E, M3UT-4GSSNLPC-E, M3UT-8GMSGLN9-P, M3UT-8GMSGLPC-P, M3UT-8GSSGLM7-E, M3UT-8GSSGLN9-E, M3UT-8GSSGLPC-E

DDR3

PRODUKT-FEATURES

DIMM
DDR3
[2 GB | 4 GB | 8 GB]
[256Mx8 | 512Mx8]
[1600 | 1866 | 1066 | 1333]

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk DDR3L VLP M3UT

Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR3-DDR3L VLP M3UTM3UT-2GMJNL0E-K, M3UT-2GMJNLN9-K, M3UT-2GMJNLPC-K, M3UT-4GMJGLM7-K, M3UT-4GMJGLN9-K, M3UT-4GMJGLPC-K, M3UT-4GMSNL0E-P, M3UT-4GMSNLN9-P, M3UT-4GMSNLPC-P, M3UT-4GSSNL0E-E, M3UT-4GSSNLN9-E, M3UT-4GSSNLPC-E, M3UT-8GMSGLN9-P, M3UT-8GMSGLPC-P, M3UT-8GSSGLM7-E, M3UT-8GSSGLN9-E, M3UT-8GSSGLPC-E
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau240 Pin DIMM DDR3L
Memory TypeDDR3
DIMM TypeUnbuffered DIMM
Kapazität2 GB, 4 GB, 8 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization256Mx8, 512Mx8
PCB S/NG, N
GradeCommercial 0° ~ 85°C
CL7, 9, 11, 13
DIMM Datarate1600, 1866, DDR3-1066, DDR3-1333
Die VersionE, K, P
ECCwird nicht unterstützt
Mechanik / Umgebung
TemperaturLagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Tiefe133,35 mm
Höhe18,75 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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