Innodisk M3C0 VLP

M3C0-4GMJ5CN9, M3C0-4GMJ5CPC, M3C0-4GMJ5CQE, M3C0-4GMS4CN9, M3C0-4GMS4CPC, M3C0-4GMS4CQE, M3C0-4GSS4CN9, M3C0-4GSS4CQE, M3C0-8GMS5CN9, M3C0-8GMS5CPC, M3C0-8GMS5CQE, M3C0-8GSS5CN9, M3C0-8GSS5CQE, M3C0-4GSS4CPC, M3C0-8GSS5CPC

DDR3

PRODUKT-FEATURES

// DIMM
// DDR3
// ECC
// [2 GB | 4 GB | 8 GB]
// [256Mx8 | 512Mx8]
// [1333 | 1600 | 1866] MT/s
// 1.50V

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk M3C0 VLP

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM3C0 VLPM3C0-2GMJ4CN9, M3C0-2GMJ4CPC, M3C0-2GMJ4CQE, M3C0-4GMJ5CN9, M3C0-4GMJ5CPC, M3C0-4GMJ5CQE, M3C0-4GMS4CN9, M3C0-4GMS4CPC, M3C0-4GMS4CQE, M3C0-4GSS4CN9, M3C0-4GSS4CPC, M3C0-4GSS4CQE, M3C0-8GMS5CN9, M3C0-8GMS5CPC, M3C0-8GMS5CQE, M3C0-8GSS5CN9, M3C0-8GSS5CPC, M3C0-8GSS5CQE
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau240 Pin DIMM DDR3
Memory TypeDDR3
DIMM TypeECC Unbuffered DIMM
IC Data RateNon-Fixed MHz
Kapazität2 GB, 4 GB, 8 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization256Mx8, 512Mx8
Grade-, Commercial
CL9, 11, 13
DIMM Datarate1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s
ECCwird unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Breite133,35 mm
Höhe18,75 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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