Innodisk M3UW-4

M3UW-4GSJGC0C-F, M3UW-4GSJGCM7-F, M3UW-4GSJGCN9-F, M3UW-4GSJGL0C-F, M3UW-4GSJGLM7-F, M3UW-4GSJGLN9-F, M3UW-4GSSNC0C-D, M3UW-4GSSNC0C-E, M3UW-4GSSNCM7-D, M3UW-4GSSNCM7-E, M3UW-4GSSNCN9-D, M3UW-4GSSNCN9-E, M3UW-4GSSNL0C-D, M3UW-4GSSNL0C-E, M3UW-4GSSNLM7-D, M3UW-4GSSNLM7-E, M3UW-4GSSNLN9-D, M3UW-4GSSNLN9-E

DDR3

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PRODUKT-FEATURES

// DIMM
// DDR3
// 4 GB
// [256Mx8 | 512Mx8]
// [1066 (DDR3) | 1333 | -] MT/s
// [1.35V | 1.50V]

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PRODUKTINFORMATIONEN

Basismodul: Innodisk M3UW-4

Allgemein
	SKU / Artikelnummer			M3UW-4
Produktgrunddaten
	Hersteller			Innodisk
System
	Speicher	Aufbau		240 Pin DIMM DDR3 / DDR3L
		Memory Type		DDR3
		DIMM Type		Unbuffered DIMM
		IC Data Rate		DDR3-1600 1.35V MHz
		Kapazität		4 GB
		IC Brand		Samsung
		IC Organization		256Mx8, 512Mx8
		PCB S/N		G, N
		Grade		Commercial, Low Voltage Commercial
		CL		7, 9, 11
		DIMM Datarate		1066 (DDR3) MT/s, 1333 MT/s, Original specification MT/s
		Die Version		D, E, F
		ECC		wird nicht unterstützt
		Bestückung		Dual-Rank, Single-Rank
		tREFI Parameter 1	Average Periodic Refresh Interval	7.8 µS
			Temperaturbereich	0°C ~ 85°C
Stromversorgung
	Eingangsspannung			1.35V, 1.50V
Mechanik / Umgebung
	Temperatur	Betrieb		0° bis 85°C
		Lagerung		-50° bis 100°C
	Relative Luftfeuchtigkeit	Betrieb		10 bis 90%, nicht kondensierend
		Lagerung		5 bis 95%, nicht kondensierend
	Abmaße	Formfaktor		DIMM
		Tiefe		133 mm
		Höhe		19 mm
Zertifikate / Konformitäten
	CE			Ja
	RoHS konform			Ja

Innodisk M3UW-4

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Innodisk M3UW-4GSJGC0C-F (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 256Mx8, - MT/s, 1.50V
System	Speicher	tREFI Parameter 1	Average Periodic Refresh Interval	7.8 µS
		CL		11
		IC Organization		256Mx8
		Bestückung		Dual-Rank
		Grade		Commercial
		DIMM Datarate		Original specification MT/s
		Die Version		F
		PCB S/N		G
Stromversorgung	Eingangsspannung			1.50V
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DIMM, DDR3, 4 GB, 256Mx8, 1066 (DDR3) MT/s, 1.50V
System	Speicher	tREFI Parameter 1	Average Periodic Refresh Interval	7.8 µS
		CL		7
		IC Organization		256Mx8
		Bestückung		Dual-Rank
		Grade		Commercial
		DIMM Datarate		1066 (DDR3) MT/s
		Die Version		F
		PCB S/N		G
Stromversorgung	Eingangsspannung			1.50V
Innodisk M3UW-4GSJGCN9-F (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 256Mx8, 1333 MT/s, 1.50V
System	Speicher	tREFI Parameter 1	Average Periodic Refresh Interval	7.8 µS
		CL		9
		IC Organization		256Mx8
		Bestückung		Dual-Rank
		Grade		Commercial
		DIMM Datarate		1333 MT/s
		Die Version		F
		PCB S/N		G
Stromversorgung	Eingangsspannung			1.50V
Innodisk M3UW-4GSJGL0C-F (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 256Mx8, - MT/s, 1.35V
System	Speicher	tREFI Parameter 1	Average Periodic Refresh Interval	7.8 µS
		CL		11
		IC Organization		256Mx8
		Bestückung		Dual-Rank
		Grade		Low Voltage Commercial
		DIMM Datarate		Original specification MT/s
		Die Version		F
		PCB S/N		G
Stromversorgung	Eingangsspannung			1.35V
Innodisk M3UW-4GSJGLM7-F (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 256Mx8, 1066 (DDR3) MT/s, 1.35V
System	Speicher	tREFI Parameter 1	Average Periodic Refresh Interval	7.8 µS
		CL		7
		IC Organization		256Mx8
		Bestückung		Dual-Rank
		Grade		Low Voltage Commercial
		DIMM Datarate		1066 (DDR3) MT/s
		Die Version		F
		PCB S/N		G
Stromversorgung	Eingangsspannung			1.35V
Innodisk M3UW-4GSJGLN9-F (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 256Mx8, 1333 MT/s, 1.35V
System	Speicher	tREFI Parameter 1	Average Periodic Refresh Interval	7.8 µS
		CL		9
		IC Organization		256Mx8
		Bestückung		Dual-Rank
		Grade		Low Voltage Commercial
		DIMM Datarate		1333 MT/s
		Die Version		F
		PCB S/N		G
Stromversorgung	Eingangsspannung			1.35V
Innodisk M3UW-4GSSNC0C-D (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, - MT/s, 1.50V
System	Speicher	tREFI Parameter 1	Average Periodic Refresh Interval	7.8 µS
		CL		11
		IC Organization		512Mx8
		Bestückung		Single-Rank
		Grade		Commercial
		DIMM Datarate		Original specification MT/s
		Die Version		D
		PCB S/N		N
Stromversorgung	Eingangsspannung			1.50V
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DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, - MT/s, 1.50V
System	Speicher	tREFI Parameter 1	Average Periodic Refresh Interval	7.8 µS
		CL		11
		IC Organization		512Mx8
		Bestückung		Single-Rank
		Grade		Commercial
		DIMM Datarate		Original specification MT/s
		Die Version		E
		PCB S/N		N
Stromversorgung	Eingangsspannung			1.50V
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DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1066 (DDR3) MT/s, 1.50V
System	Speicher	tREFI Parameter 1	Average Periodic Refresh Interval	7.8 µS
		CL		7
		IC Organization		512Mx8
		Bestückung		Single-Rank
		Grade		Commercial
		DIMM Datarate		1066 (DDR3) MT/s
		Die Version		D
		PCB S/N		N
Stromversorgung	Eingangsspannung			1.50V
Innodisk M3UW-4GSSNCM7-E (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1066 (DDR3) MT/s, 1.50V
System	Speicher	tREFI Parameter 1	Average Periodic Refresh Interval	7.8 µS
		CL		7
		IC Organization		512Mx8
		Bestückung		Single-Rank
		Grade		Commercial
		DIMM Datarate		1066 (DDR3) MT/s
		Die Version		E
		PCB S/N		N
Stromversorgung	Eingangsspannung			1.50V
Innodisk M3UW-4GSSNCN9-D (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1333 MT/s, 1.50V
System	Speicher	tREFI Parameter 1	Average Periodic Refresh Interval	7.8 µS
		CL		9
		IC Organization		512Mx8
		Bestückung		Single-Rank
		Grade		Commercial
		DIMM Datarate		1333 MT/s
		Die Version		D
		PCB S/N		N
Stromversorgung	Eingangsspannung			1.50V
Innodisk M3UW-4GSSNCN9-E (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1333 MT/s, 1.50V
System	Speicher	tREFI Parameter 1	Average Periodic Refresh Interval	7.8 µS
		CL		9
		IC Organization		512Mx8
		Bestückung		Single-Rank
		Grade		Commercial
		DIMM Datarate		1333 MT/s
		Die Version		E
		PCB S/N		N
Stromversorgung	Eingangsspannung			1.50V
Innodisk M3UW-4GSSNL0C-D (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, - MT/s, 1.35V
System	Speicher	tREFI Parameter 1	Average Periodic Refresh Interval	7.8 µS
		CL		11
		IC Organization		512Mx8
		Bestückung		Single-Rank
		Grade		Low Voltage Commercial
		DIMM Datarate		Original specification MT/s
		Die Version		D
		PCB S/N		N
Stromversorgung	Eingangsspannung			1.35V
Innodisk M3UW-4GSSNL0C-E (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, - MT/s, 1.35V
System	Speicher	tREFI Parameter 1	Average Periodic Refresh Interval	7.8 µS
		CL		11
		IC Organization		512Mx8
		Bestückung		Single-Rank
		Grade		Low Voltage Commercial
		DIMM Datarate		Original specification MT/s
		Die Version		E
		PCB S/N		N
Stromversorgung	Eingangsspannung			1.35V
Innodisk M3UW-4GSSNLM7-D (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1066 (DDR3) MT/s, 1.35V
System	Speicher	tREFI Parameter 1	Average Periodic Refresh Interval	7.8 µS
		CL		7
		IC Organization		512Mx8
		Bestückung		Single-Rank
		Grade		Low Voltage Commercial
		DIMM Datarate		1066 (DDR3) MT/s
		Die Version		D
		PCB S/N		N
Stromversorgung	Eingangsspannung			1.35V
Innodisk M3UW-4GSSNLM7-E (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1066 (DDR3) MT/s, 1.35V
System	Speicher	tREFI Parameter 1	Average Periodic Refresh Interval	7.8 µS
		CL		7
		IC Organization		512Mx8
		Bestückung		Single-Rank
		Grade		Low Voltage Commercial
		DIMM Datarate		1066 (DDR3) MT/s
		Die Version		E
		PCB S/N		N
Stromversorgung	Eingangsspannung			1.35V
Innodisk M3UW-4GSSNLN9-D (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1333 MT/s, 1.35V
System	Speicher	tREFI Parameter 1	Average Periodic Refresh Interval	7.8 µS
		CL		9
		IC Organization		512Mx8
		Bestückung		Single-Rank
		Grade		Low Voltage Commercial
		DIMM Datarate		1333 MT/s
		Die Version		D
		PCB S/N		N
Stromversorgung	Eingangsspannung			1.35V
Innodisk M3UW-4GSSNLN9-E (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1333 MT/s, 1.35V
System	Speicher	tREFI Parameter 1	Average Periodic Refresh Interval	7.8 µS
		CL		9
		IC Organization		512Mx8
		Bestückung		Single-Rank
		Grade		Low Voltage Commercial
		DIMM Datarate		1333 MT/s
		Die Version		E
		PCB S/N		N
Stromversorgung	Eingangsspannung			1.35V