Innodisk M4C0 VLP

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DDR4

PRODUKT-FEATURES

DIMM
DDR4
ECC
[4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB]
[1Gx8 | 2Gx8 | 512Mx8]
[2133 | 2400 | 2666 | 2933 | 3200]
1.2V

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk M4C0 VLP

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM4C0 VLPM4C0-4GSSSCIK, M4C0-4GSSSCRG, M4C0-4GSSSCSJ, M4C0-8GS1SCEM, M4C0-8GS1SCIK, M4C0-8GS1SCRG, M4C0-8GS1SCSJ, M4C0-8GS1SCUN, M4C0-8GSSTCIK, M4C0-8GSSTCRG, M4C0-8GSSTCSJ, M4C0-AGS1TCEM, M4C0-AGS1TCIK, M4C0-AGS1TCRG, M4C0-AGS1TCSJ, M4C0-AGS1TCUN, M4C0-BGM2TCEM, M4C0-BGM2TCUN, M4C0-BGS2TCIK, M4C0-BGS2T5IK, M4C0-4GSSSCEM, M4C0-4GSSSCUN, M4C0-8GS1S5EM, M4C0-8GS1S5IK, M4C0-8GS1S5SJ, M4C0-8GS1S5UN, M4C0-8GSST5IK, M4C0-8GSST5RG, M4C0-8GSST5SJ, M4C0-AGS1T5EM, M4C0-AGS1T5IK, M4C0-AGS1T5SJ, M4C0-AGS1T5UN, M4C0-BGS2T5SJ, M4C0-8GSST5EM, M4C0-8GSST5UN, M4C0-8GSSTCEM, M4C0-8GSSTCUN, M4C0-BGS2T5EM, M4C0-BGS2T5UN, M4C0-BGS2TCEM, M4C0-BGS2TCUN
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau288 Pin Registered DIMM DDR4 mit ECC
Memory TypeDDR4
DIMM TypeECC Unbuffered DIMM
IC Data RateNon-Fixed
Kapazität4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization1Gx8, 2Gx8, 512Mx8
PCB S/NS, T
GradeCommercial, Wide Temperature
CL15, 17, 19, 21, 22
DIMM Datarate2133, 2400, 2666, 2933, 3200
ECCwird unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C, -40° bis 85°C (sorting wide)
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Breite133,35 mm
Höhe18,75 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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