Innodisk M4UE VLP

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DDR4

PRODUKT-FEATURES

DIMM
DDR4
[4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB]
[1Gx8 | 2Gx8 | 512Mx8 | 512Mx16]
[2133 | 2400 | 2666 | 2933 | 3200]
1.2V

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk M4UE VLP

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM4UE VLPM4UE-4GSX8C0M-C, M4UE-4GSX8C0M-G, M4UE-4GSX8CIK-G, M4UE-4GSX8CSJ-G, M4UE-4GSX8CUN-C, M4UE-4GSX8CUN-G, M4UE-8GS1VC0M-C, M4UE-8GS1VC0M-G, M4UE-8GS1VCIK-G, M4UE-8GS1VCSJ-G, M4UE-8GS1VCUN-C, M4UE-8GS1VCUN-G, M4UE-AGM1WC0M-R, M4UE-AGM1WCUN-R, M4UE-AGS1WCIK-G, M4UE-AGS1WCSJ-G, M4UE-AGS1WCUN-C, M4UE-AGS1WCUN-G, M4UE-BGM2WC0M-F, M4UE-BGM2WCUN-F, M4UE-BGS2WC0M-A, M4UE-BGS2WC0M-C, M4UE-BGS2WCIK-C, M4UE-BGS2WCSJ-C, M4UE-BGS2WCUN-A, M4UE-BGS2WCUN-C, M4UE-AGS1W5IK-G, M4UE-AGS1W5RG-G, M4UE-AGS1W5SJ-G, M4UE-BGS2W5IK-C, M4UE-AGS1WC0M-G, M4UE-4GSSVCIK-G, M4UE-4GSSVCSJ-G, M4UE-8GSSW5IK-G, M4UE-8GSSW5SJ-G, M4UE-8GSSWCIK-G, M4UE-8GSSWCSJ-G, M4UE-4GSSVC0M-G, M4UE-4GSSVCUN-G, M4UE-8GSSWC0M-G, M4UE-8GSSWCUN-G, M4UE-8GS1V50M-G, M4UE-8GS1V5IK-G, M4UE-8GS1V5SJ-G, M4UE-8GS1V5UN-G, M4UE-8GSSW50M-G, M4UE-8GSSW5UN-G, M4UE-AGM1W50M-R, M4UE-AGM1W5UN-R, M4UE-AGS1W50M-G, M4UE-AGS1W5UN-G, M4UE-BGS2W5SJ-C, M4UE-BGS2W50M-C, M4UE-BGS2W5UN-C
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau288 Pin DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeUnbuffered DIMM
Kapazität4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization1Gx8, 2Gx8, 512Mx8, 512Mx16
PCB S/N8, V, W
GradeCommercial, Wide Temperature
CL15, 17, 19, 21, 22
DIMM Datarate2133, 2400, 2666, 2933, 3200
Die VersionA, C, F, G, R
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C, -40° bis 85°C (sorting wide)
Lagerung-55° bis 100°C
AbmaßeFormfaktorDIMM
Breite133,35 mm
Höhe18,75 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
FCCClass BJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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