Innodisk M3U0

M3U0-2GMJB5N9, M3U0-2GMJB5PC, M3U0-2GMJB5QE, M3U0-2GMJBCN9, M3U0-2GMJBCPC, M3U0-2GMJBCQE, M3U0-2GMVHCN9, M3U0-2GMVHCPC, M3U0-2GMVHCQE, M3U0-2GSVHCQE, M3U0-2GWVHCN9, M3U0-2GWVHCPC, M3U0-2GWVHCQE, M3U0-4GMJA5N9, M3U0-4GMJA5PC, M3U0-4GMJA5QE, M3U0-4GMJACN9, M3U0-4GMJACPC, M3U0-4GMJACQE, M3U0-4GMSB5N9, M3U0-4GMSB5PC, M3U0-4GMSB5QE, M3U0-4GMSBCN9, M3U0-4GMSBCPC, M3U0-4GMSBCQE, M3U0-4GSSB5N9, M3U0-4GWSB5N9, M3U0-4GWSB5PC, M3U0-4GWSB5QE, M3U0-4GWSBCN9, M3U0-4GWSBCPC, M3U0-4GWSBCQE, M3U0-8GMSA5N9, M3U0-8GMSA5PC, M3U0-8GMSA5QE, M3U0-8GMSACN9, M3U0-8GMSACPC, M3U0-8GMSACQE, M3U0-8GWSA5N9, M3U0-8GWSA5PC, M3U0-8GWSA5QE, M3U0-8GWSACN9, M3U0-8GWSACPC, M3U0-8GWSACQE, M3U0-2GSVHCN9, M3U0-2GSVHCPC, M3U0-4GSSB5PC, M3U0-4GSSB5QE, M3U0-4GSSBCM7, M3U0-4GSSBCN9, M3U0-4GSSBCPC, M3U0-4GSSBCQE, M3U0-8GSSA5N9, M3U0-8GSSA5PC, M3U0-8GSSA5QE, M3U0-8GSSACN9, M3U0-8GSSACPC, M3U0-8GSSACQE

DDR3

PRODUKT-FEATURES

// DIMM
// DDR3
// [2 GB | 4 GB | 8 GB]
// [256Mx8 | 256Mx16 | 512Mx8]
// [1066 | 1333 | 1600 | 1866] MT/s
// 1.50V

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PRODUKTINFORMATIONEN

Basismodul: Innodisk M3U0

Allgemein
	SKU / Artikelnummer		M3U0
Produktgrunddaten
	Hersteller		Innodisk
System
	Speicher	Aufbau	240 Pin DIMM DDR3
		Memory Type	DDR3
		DIMM Type	Unbuffered DIMM
		Kapazität	2 GB, 4 GB, 8 GB
		IC Brand	Micron, Samsung, Winbond
		IC Organization	256Mx8, 256Mx16, 512Mx8
		Grade	Commercial, Wide Temperature
		CL	7, 9, 11, 13
		DIMM Datarate	DDR3-1066 MT/s, DDR3-1333 MT/s, DDR3-1600 MT/s, DDR3-1866 MT/s
		Fixed Die	Nein
Stromversorgung
	Eingangsspannung		1.50V
Mechanik / Umgebung
	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C, -40° bis 85°C (sorting wide)
		Lagerung	-55° bis 100°C
	Abmaße	Formfaktor	DIMM
		Breite	133,35 mm
		Höhe	30 mm
Zertifikate / Konformitäten
	CE		Ja
	RoHS konform		Ja

End of Life (EOL)

Key characteristics of the Change: Due to supply conditions, Innodisk hereby announces the product change plan for DDR3L Samsung 512Mx8 and 256Mx16 E-die IC assembled DDR3 & DDR3L modules. Description: Samsung DDR3L-1866 512Mx8 E-die K4B4G0846E-BYMA Micron DDR3L-1866 512Mx8 P-die MT41K512M8DA-107:P Samsung DDR3L-1866 256Mx16 E-die K4B4G1646E-BYMA Micron DDR3L-1866 256Mx16 P-die MT41K256M16TW-107:P
Revision:	D240316
Revision date:	7. März 2024
Last purchase date:	30. Juni 2024
Last shipping date:	30. September 2024
Betroffene Produkte:	M3BT-2GSSCLN9-E, M3BT-2GSSCLPC-E, M3C0-4GSS14PC, M3C0-4GSS1CN9, M3C0-4GSS1CPC, M3C0-4GSS1LN9, M3C0-4GSS1LPC, M3C0-4GSS1LQE, M3C0-4GSS4CPC, M3C0-4GSS4LPC, M3C0-8GSS34N9, M3C0-8GSS34PC, M3C0-8GSS35PC, M3C0-8GSS3CN9, M3C0-8GSS3CPC, M3C0-8GSS3CQE, M3C0-8GSS3LN9, M3C0-8GSS3LPC, M3C0-8GSS3LQE, M3C0-8GSS5CPC, M3C0-8GSS5LPC, M3C0-8GSS5LQE, M3CT-4GSS14PC-E, M3CT-4GSS15PC-E, M3CT-4GSS1C0E-E, M3CT-4GSS1CN9-E, M3CT-4GSS1CPC-E, M3CT-4GSS4CPC-E, M3CT-4GSS4LN9-E, M3CT-4GSS4LPC-E, M3CT-8GSS34N9-E, M3CT-8GSS34PC-E, M3CT-8GSS35PC-E, M3CT-8GSS3C0E-E, M3CT-8GSS3CN9-E, M3CT-8GSS3CPC-E, M3CT-8GSS5C0E-E, M3CT-8GSS5CPC-E, M3CT-8GSS5L0E-E, M3CT-8GSS5LPC-E, M3D0-4GSS24N9, M3D0-4GSS24PC, M3D0-4GSS24QE, M3D0-4GSS2LN9, M3D0-4GSS2LPC, M3D0-4GSS2LQE, M3D0-8GSS64N9, M3D0-8GSS64PC, M3D0-8GSS6LN9, M3D0-8GSS6LPC, M3DT-4GSS240E-E, M3DT-4GSS24N9-E, M3DT-4GSS24PC-E, M3DT-4GSS25N9-E, M3DT-4GSS25PC-E, M3DT-4GSS2CN9-E, M3DT-4GSS2CPC-E, M3DT-4GSS2L0E-E, M3DT-4GSS2LN9-E, M3DT-4GSS2LPC-E, M3DT-4GSSYLPC-E, M3DT-8GSS64N9-E, M3DT-8GSS64PC-E, M3DT-8GSS65N9-E, M3DT-8GSS65PC-E, M3DT-8GSS6CN9-E, M3DT-8GSS6CPC-E, M3DT-8GSS6LN9-E, M3DT-8GSS6LPC-E, M3M0-4GSSOLPC, M3M0-4GSSPCPC, M3M0-4GSSPLPC, M3M0-8GSSWCPC, M3M0-8GSSWLPC, M3MT-4GSSOCPC-E, M3MT-4GSSOLPC-E, M3MT-4GSSPCPC-E, M3MT-4GSSPLPC-E, M3MT-8GSSWCPC-E, M3MT-8GSSWLPC-E, M3S0-2GSVF4QE, M3S0-2GSVFCM7, M3S0-2GSVFCN9, M3S0-2GSVFCPC, M3S0-4GSSC4M7, M3S0-4GSSC4N9, M3S0-4GSSC4PC, M3S0-4GSSC4QE, M3S0-4GSSC5N9, M3S0-4GSSC5PC, M3S0-4GSSC5QE, M3S0-4GSSCCN9, M3S0-4GSSCCPC, M3S0-4GSSCCQE, M3S0-4GSSELN9, M3S0-4GSSELPC, M3S0-4GSV0CN9, M3S0-4GSV0CPC, M3S0-4GSV0CQE, M3S0-8GSSD4N9, M3S0-8GSSD4PC, M3S0-8GSSD4QE, M3S0-8GSSD5PC, M3S0-8GSSD5QE, M3S0-8GSSDCN9, M3S0-8GSSDCPC, M3S0-8GSSDCQE, M3S0-8GSSULPC, M3S0-8GSSULQE, M3ST-2GSVF40E-E, M3ST-2GSVFC0E-E, M3ST-2GSVFCM7-E, M3ST-2GSVFCN9-E, M3ST-2GSVFCPC-E, M3ST-2GSVFL0E-E, M3ST-2GSVFLM7-E, M3ST-2GSVFLN9-E, M3ST-2GSVFLPC-E, M3ST-4GSSC40E-E, M3ST-4GSSC4N9-E, M3ST-4GSSC4PC-E, M3ST-4GSSC50E-E, M3ST-4GSSC5N9-E, M3ST-4GSSC5PC-E, M3ST-4GSSCC0E-E, M3ST-4GSSCCN9-E, M3ST-4GSSCCPC-E, M3ST-4GSSCL0E-E, M3ST-4GSSCLN9-E, M3ST-4GSSCLPC-E, M3ST-4GSSELN9-E, M3ST-4GSSELPC-E, M3ST-4GSV0C0E-E, M3ST-4GSV0CN9-E, M3ST-4GSV0CPC-E, M3ST-4GSV0L0E-E, M3ST-4GSV0LN9-E, M3ST-4GSV0LPC-E, M3ST-8GSSD40E-E, M3ST-8GSSD4N9-E, M3ST-8GSSD4PC-E, M3ST-8GSSD50E-E, M3ST-8GSSD5N9-E, M3ST-8GSSD5PC-E, M3ST-8GSSDC0E-E, M3ST-8GSSDCN9-E, M3ST-8GSSDCPC-E, M3ST-8GSSDL0E-E, M3ST-8GSSDLN9-E, M3ST-8GSSDLPC-E, M3ST-8GSSUCN9-E, M3ST-8GSSUCPC-E, M3ST-8GSSUL0E-E, M3ST-8GSSULN9-E, M3ST-8GSSULPC-E, M3U0-2GSVHCN9, M3U0-2GSVHCPC, M3U0-2GSVHLN9, M3U0-2GSVHLPC, M3U0-2GSVHLQE, M3U0-4GSSB5PC, M3U0-4GSSB5QE, M3U0-4GSSBCM7, M3U0-4GSSBCN9, M3U0-4GSSBCPC, M3U0-4GSSBCQE, M3U0-4GSSBLM7, M3U0-4GSSBLN9, M3U0-4GSSBLPC, M3U0-4GSSBLQE, M3U0-4GSSNCN9, M3U0-4GSSNCPC, M3U0-4GSSNLQE, M3U0-8GSSA5N9, M3U0-8GSSA5PC, M3U0-8GSSA5QE, M3U0-8GSSACN9, M3U0-8GSSACPC, M3U0-8GSSACQE, M3U0-8GSSALN9, M3U0-8GSSALPC, M3U0-8GSSALQE, M3U0-8GSSGCN9, M3U0-8GSSGCPC, M3U0-8GSSGLPC, M3UT-2GSVHCN9-E, M3UT-2GSVHCPC-E, M3UT-2GSVHL0E-E, M3UT-2GSVHLN9-E, M3UT-2GSVHLPC-E, M3UT-4GSSB4PC-E, M3UT-4GSSB50E-E, M3UT-4GSSB5PC-E, M3UT-4GSSBC0E-E, M3UT-4GSSBCN9-E, M3UT-4GSSBCPC-E, M3UT-4GSSBL0E-E, M3UT-4GSSBLN9-E, M3UT-4GSSBLPC-E, M3UT-4GSSNCN9-E, M3UT-4GSSNCPC-E, M3UT-4GSSNL0E-E, M3UT-4GSSNLN9-E, M3UT-4GSSNLPC-E, M3UT-8GSSA40E-E, M3UT-8GSSA4PC-E, M3UT-8GSSA50E-E, M3UT-8GSSA5N9-E, M3UT-8GSSA5PC-E, M3UT-8GSSAC0E-E, M3UT-8GSSACN9-E, M3UT-8GSSACPC-E, M3UT-8GSSAL0E-E, M3UT-8GSSALN9-E, M3UT-8GSSALPC-E, M3UT-8GSSGCN9-E, M3UT-8GSSGCPC-E, M3UT-8GSSGLPC-E
Hinweis Dokument:	[PCN_D240316] DDR3L product change notice from Samsung 4Gb E-die IC to Micron P-die IC.pdf

Innodisk M3U0-2GMJB5N9 Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 2 GB, 256Mx8, 1333 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	2 GB
		CL	9
		IC Organization	256Mx8
		IC Brand	Micron
		Grade	Wide Temperature
		DIMM Datarate	DDR3-1333 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	-40° bis 85°C (sorting wide)
Innodisk M3U0-2GMJB5PC Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 2 GB, 256Mx8, 1600 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	2 GB
		CL	11
		IC Organization	256Mx8
		IC Brand	Micron
		Grade	Wide Temperature
		DIMM Datarate	DDR3-1600 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	-40° bis 85°C (sorting wide)
Innodisk M3U0-2GMJB5QE Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 2 GB, 256Mx8, 1866 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	2 GB
		CL	13
		IC Organization	256Mx8
		IC Brand	Micron
		Grade	Wide Temperature
		DIMM Datarate	DDR3-1866 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	-40° bis 85°C (sorting wide)
Innodisk M3U0-2GMJBCN9 Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 2 GB, 256Mx8, 1333 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	2 GB
		CL	9
		IC Organization	256Mx8
		IC Brand	Micron
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1333 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-2GMJBCPC Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 2 GB, 256Mx8, 1600 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	2 GB
		CL	11
		IC Organization	256Mx8
		IC Brand	Micron
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1600 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-2GMJBCQE Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 2 GB, 256Mx8, 1866 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	2 GB
		CL	13
		IC Organization	256Mx8
		IC Brand	Micron
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1866 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-2GMVHCN9 Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 2 GB, 256Mx16, 1333 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	2 GB
		CL	9
		IC Organization	256Mx16
		IC Brand	Micron
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1333 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-2GMVHCPC Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 2 GB, 256Mx16, 1600 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	2 GB
		CL	11
		IC Organization	256Mx16
		IC Brand	Micron
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1600 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-2GMVHCQE Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 2 GB, 256Mx16, 1866 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	2 GB
		CL	13
		IC Organization	256Mx16
		IC Brand	Micron
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1866 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-2GSVHCN9 (EOL) (Achtung EOL: LTB 30.06.2024) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 2 GB, 256Mx16, 1333 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	2 GB
		CL	9
		IC Organization	256Mx16
		IC Brand	Samsung
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1333 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-2GSVHCPC (EOL) (Achtung EOL: LTB 30.06.2024) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 2 GB, 256Mx16, 1600 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	2 GB
		CL	11
		IC Organization	256Mx16
		IC Brand	Samsung
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1600 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-2GSVHCQE Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 2 GB, 256Mx16, 1866 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	2 GB
		CL	13
		IC Organization	256Mx16
		IC Brand	Samsung
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1866 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-2GWVHCN9 Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 2 GB, 256Mx16, 1333 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	2 GB
		CL	9
		IC Organization	256Mx16
		IC Brand	Winbond
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1333 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-2GWVHCPC Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 2 GB, 256Mx16, 1600 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	2 GB
		CL	11
		IC Organization	256Mx16
		IC Brand	Winbond
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1600 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-2GWVHCQE Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 2 GB, 256Mx16, 1866 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	2 GB
		CL	13
		IC Organization	256Mx16
		IC Brand	Winbond
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1866 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-4GMJA5N9 Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 256Mx8, 1333 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	4 GB
		CL	9
		IC Organization	256Mx8
		IC Brand	Micron
		Grade	Wide Temperature
		DIMM Datarate	DDR3-1333 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	-40° bis 85°C (sorting wide)
Innodisk M3U0-4GMJA5PC Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 256Mx8, 1600 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	4 GB
		CL	11
		IC Organization	256Mx8
		IC Brand	Micron
		Grade	Wide Temperature
		DIMM Datarate	DDR3-1600 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	-40° bis 85°C (sorting wide)
Innodisk M3U0-4GMJA5QE Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 256Mx8, 1866 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	4 GB
		CL	13
		IC Organization	256Mx8
		IC Brand	Micron
		Grade	Wide Temperature
		DIMM Datarate	DDR3-1866 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	-40° bis 85°C (sorting wide)
Innodisk M3U0-4GMJACN9 Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 256Mx8, 1333 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	4 GB
		CL	9
		IC Organization	256Mx8
		IC Brand	Micron
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1333 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-4GMJACPC Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 256Mx8, 1600 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	4 GB
		CL	11
		IC Organization	256Mx8
		IC Brand	Micron
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1600 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-4GMJACQE Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 256Mx8, 1866 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	4 GB
		CL	13
		IC Organization	256Mx8
		IC Brand	Micron
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1866 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-4GMSB5N9 Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1333 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	4 GB
		CL	9
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Micron
		Grade	Wide Temperature
		DIMM Datarate	DDR3-1333 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	-40° bis 85°C (sorting wide)
Innodisk M3U0-4GMSB5PC Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1600 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	4 GB
		CL	11
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Micron
		Grade	Wide Temperature
		DIMM Datarate	DDR3-1600 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	-40° bis 85°C (sorting wide)
Innodisk M3U0-4GMSB5QE Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1866 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	4 GB
		CL	13
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Micron
		Grade	Wide Temperature
		DIMM Datarate	DDR3-1866 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	-40° bis 85°C (sorting wide)
Innodisk M3U0-4GMSBCN9 Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1333 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	4 GB
		CL	9
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Micron
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1333 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-4GMSBCPC Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1600 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	4 GB
		CL	11
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Micron
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1600 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-4GMSBCQE Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1866 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	4 GB
		CL	13
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Micron
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1866 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-4GSSB5N9 Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1333 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	4 GB
		CL	9
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Samsung
		Grade	Wide Temperature
		DIMM Datarate	DDR3-1333 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	-40° bis 85°C (sorting wide)
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DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1600 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	4 GB
		CL	11
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Samsung
		Grade	Wide Temperature
		DIMM Datarate	DDR3-1600 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	-40° bis 85°C (sorting wide)
Innodisk M3U0-4GSSB5QE (EOL) (Achtung EOL: LTB 30.06.2024) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1866 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	4 GB
		CL	13
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Samsung
		Grade	Wide Temperature
		DIMM Datarate	DDR3-1866 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	-40° bis 85°C (sorting wide)
Innodisk M3U0-4GSSBCM7 (EOL) (Achtung EOL: LTB 30.06.2024) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1066 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	4 GB
		CL	7
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Samsung
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1066 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-4GSSBCN9 (EOL) (Achtung EOL: LTB 30.06.2024) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1333 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	4 GB
		CL	9
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Samsung
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1333 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-4GSSBCPC (EOL) (Achtung EOL: LTB 30.06.2024) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1600 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	4 GB
		CL	11
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Samsung
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1600 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-4GSSBCQE (EOL) (Achtung EOL: LTB 30.06.2024) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1866 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	4 GB
		CL	13
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Samsung
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1866 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-4GWSB5N9 Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1333 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	4 GB
		CL	9
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Winbond
		Grade	Wide Temperature
		DIMM Datarate	DDR3-1333 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	-40° bis 85°C (sorting wide)
Innodisk M3U0-4GWSB5PC Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1600 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	4 GB
		CL	11
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Winbond
		Grade	Wide Temperature
		DIMM Datarate	DDR3-1600 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	-40° bis 85°C (sorting wide)
Innodisk M3U0-4GWSB5QE Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1866 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	4 GB
		CL	13
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Winbond
		Grade	Wide Temperature
		DIMM Datarate	DDR3-1866 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	-40° bis 85°C (sorting wide)
Innodisk M3U0-4GWSBCN9 Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1333 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	4 GB
		CL	9
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Winbond
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1333 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-4GWSBCPC Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1600 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	4 GB
		CL	11
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Winbond
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1600 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-4GWSBCQE Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1866 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	4 GB
		CL	13
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Winbond
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1866 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-8GMSA5N9 Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1333 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	8 GB
		CL	9
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Micron
		Grade	Wide Temperature
		DIMM Datarate	DDR3-1333 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	-40° bis 85°C (sorting wide)
Innodisk M3U0-8GMSA5PC Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1600 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	8 GB
		CL	11
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Micron
		Grade	Wide Temperature
		DIMM Datarate	DDR3-1600 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	-40° bis 85°C (sorting wide)
Innodisk M3U0-8GMSA5QE Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1866 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	8 GB
		CL	13
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Micron
		Grade	Wide Temperature
		DIMM Datarate	DDR3-1866 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	-40° bis 85°C (sorting wide)
Innodisk M3U0-8GMSACN9 Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1333 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	8 GB
		CL	9
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Micron
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1333 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-8GMSACPC Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1600 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	8 GB
		CL	11
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Micron
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1600 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-8GMSACQE Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1866 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	8 GB
		CL	13
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Micron
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1866 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-8GSSA5N9 (EOL) (Achtung EOL: LTB 30.06.2024) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1333 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	8 GB
		CL	9
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Samsung
		Grade	Wide Temperature
		DIMM Datarate	DDR3-1333 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	-40° bis 85°C (sorting wide)
Innodisk M3U0-8GSSA5PC (EOL) (Achtung EOL: LTB 30.06.2024) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1600 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	8 GB
		CL	11
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Samsung
		Grade	Wide Temperature
		DIMM Datarate	DDR3-1600 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	-40° bis 85°C (sorting wide)
Innodisk M3U0-8GSSA5QE (EOL) (Achtung EOL: LTB 30.06.2024) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1866 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	8 GB
		CL	13
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Samsung
		Grade	Wide Temperature
		DIMM Datarate	DDR3-1866 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	-40° bis 85°C (sorting wide)
Innodisk M3U0-8GSSACN9 (EOL) (Achtung EOL: LTB 30.06.2024) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1333 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	8 GB
		CL	9
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Samsung
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1333 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-8GSSACPC (EOL) (Achtung EOL: LTB 30.06.2024) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1600 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	8 GB
		CL	11
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Samsung
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1600 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-8GSSACQE (EOL) (Achtung EOL: LTB 30.06.2024) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1866 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	8 GB
		CL	13
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Samsung
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1866 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-8GWSA5N9 Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1333 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	8 GB
		CL	9
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Winbond
		Grade	Wide Temperature
		DIMM Datarate	DDR3-1333 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	-40° bis 85°C (sorting wide)
Innodisk M3U0-8GWSA5PC Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1600 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	8 GB
		CL	11
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Winbond
		Grade	Wide Temperature
		DIMM Datarate	DDR3-1600 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	-40° bis 85°C (sorting wide)
Innodisk M3U0-8GWSA5QE Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1866 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	8 GB
		CL	13
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Winbond
		Grade	Wide Temperature
		DIMM Datarate	DDR3-1866 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	-40° bis 85°C (sorting wide)
Innodisk M3U0-8GWSACN9 Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1333 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	8 GB
		CL	9
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Winbond
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1333 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-8GWSACPC Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1600 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	8 GB
		CL	11
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Winbond
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1600 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C
Innodisk M3U0-8GWSACQE Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1866 MT/s, 1.50V
System	Speicher	Kapazität	8 GB
		CL	13
		IC Organization	512Mx8
		IC Brand	Winbond
		Grade	Commercial
		DIMM Datarate	DDR3-1866 MT/s
Mechanik / Umgebung	Temperatur	Betrieb	0° bis 85°C

Innodisk M3U0

PRODUKT-FEATURES

KONFIGURATION

PRODUKTPREIS

PRODUKTINFORMATIONEN

KONFIGURATIONEN

Datasheets 2GB

Datasheets 4GB

Datasheets 8GB

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Innodisk M3U0-8GSSACN9 (EOL) (Achtung EOL: LTB 30.06.2024) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen

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Innodisk M3U0-8GSSACQE (EOL) (Achtung EOL: LTB 30.06.2024) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen

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