Innodisk M4S0-2GSVZ5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-2GSVZ5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-2GSVZ5RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-2GSVZ5SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-2GSVZ5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-2GSVZCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-2GSVZCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-2GSVZCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-2GSVZCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-2GSVZCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-4GSSN5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-4GSSN5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-4GSSN5RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-4GSSN5SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-4GSSN5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-4GSSNCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-4GSSNCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-4GSSNCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-4GSSNCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-4GSSNCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-4GSV8CIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-4GSV8CRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-4GSV8CSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-4GSXZ5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-4GSXZ5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-4GSXZ5RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-4GSXZ5SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-4GSXZ5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-4GSXZCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-4GSXZCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-4GSXZCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-4GSXZCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-4GSXZCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-8GS1N5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-8GS1N5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-8GS1N5RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-8GS1N5SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-8GS1N5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-8GS1NCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-8GS1NCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-8GS1NCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-8GS1NCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-8GS1NCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-8GSSO5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-8GSSO5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-8GSSO5RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-8GSSO5SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-8GSSO5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-8GSSOCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-8GSSOCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-8GSSOCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-8GSSOCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-8GSSOCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-8GSX8CIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-8GSX8CRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-8GSX8CSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-8GSYZ5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-8GSYZ5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-8GSYZ5RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-8GSYZ5SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-8GSYZ5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-8GSYZCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-8GSYZCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-8GSYZCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-8GSYZCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-8GSYZCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-AGS1O5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-AGS1O5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-AGS1O5RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-AGS1O5SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-AGS1O5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-AGS1OCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-AGS1OCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-AGS1OCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-AGS1OCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-AGS1OCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-AGS2N5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-AGS2N5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-AGS2NCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-AGS2NCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-AGSY8CIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 512Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-AGSY8CRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 512Mx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-AGSY8CSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 512Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-BGS2O5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-BGS2O5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-BGS2O5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4S0-BGS2OCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
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DIMM Datarate |
3200 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-BGS2OCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4S0-BGS2OCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |