Innodisk M4SE

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DDR4

PRODUKT-FEATURES

// SO-DIMM
// DDR4
// [2 GB | 4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB]
// [1Gx8 | 2Gx8 | 256Mx16 | 512Mx8 | 512Mx16]
// [2400 | 2666 | 2933 | 3200] MT/s
// 1.2V

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk M4SE

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM4SEM4SE-4GNSNC0M-F, M4SE-4GNSNCUN-F, M4SE-8GN1NC0M-H, M4SE-8GN1NCUN-H, M4SE-8GNSOC0M-F, M4SE-8GNSOCUN-F, M4SE-AGN1OC0M-H, M4SE-AGN1OCUN-H, M4SE-2GNVZC0M-F, M4SE-2GNVZCUN-F, M4SE-4GNV8C0M-F, M4SE-4GNV8CUN-F, M4SE-4GNXZC0M-H, M4SE-4GNXZCUN-H, M4SE-8GNX8C0M-H, M4SE-8GNX8CUN-H, M4SE-AGS2NC0M-C, M4SE-AGS2NCIK-C, M4SE-AGS2NCSJ-C, M4SE-AGS2NCUN-C, M4SE-BGS2OC0M-C, M4SE-BGS2OCIK-C, M4SE-BGS2OCSJ-C, M4SE-BGS2OCUN-C, M4SE-2GWVZC0M-R, M4SE-2GWVZCUN-R, M4SE-4GWSNC0M-R, M4SE-4GWSNCUN-R, M4SE-4GWV8C0M-R, M4SE-4GWV8CUN-R, M4SE-8GWSOC0M-R, M4SE-8GWSOCUN-R, M4SE-8GSSOC0M-F, M4SE-4GSXZCSJ-G, M4SE-AGS1OC0M-G, M4SE-8GSSOCUN-F, M4SE-AGM2NC0M-F
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeUnbuffered SO-DIMM
IC Data Rate3200 MHz
Kapazität2 GB, 4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandMicron, Nanya, Samsung, Winbond
IC Organization1Gx8, 2Gx8, 256Mx16, 512Mx8, 512Mx16
GradeCommercial
CL17, 19, 21, 22
DIMM Datarate2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s
Die VersionC, F, G, H, R
ECCwird nicht unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Tiefe70 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Glühbirne

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