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DDR4
SO-DIMM
DDR4
[2 GB | 4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB]
[1Gx8 | 1Gx16 | 2Gx8 | 256Mx16 | 512Mx8 | 512Mx16]
[2133 | 2400 | 2666 | 2933 | 3200]
1.2V
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Basismodul: Innodisk M4SE
Allgemein | ||||
SKU / Artikelnummer | M4SEM4SE-4GSSNC0M-F, M4SE-4GSSN50M-F, M4SE-4GSSN5UN-F, M4SE-8GS1N50M-C, M4SE-8GS1N5UN-C, M4SE-8GS1NC0M-C, M4SE-8GS1NCUN-C, M4SE-8GSSOC0M-F, M4SE-8GSSOCUN-F, M4SE-AGS1O50M-C, M4SE-AGS1O5UN-C, M4SE-AGS1OC0M-C, M4SE-AGS1OCUN-C, M4SE-BGS2O50M-A, M4SE-BGS2O50M-C, M4SE-BGS2O5UN-A, M4SE-BGS2O5UN-C, M4SE-BGS2OC0M-A, M4SE-BGS2OC0M-C, M4SE-BGS2OCUN-A, M4SE-BGS2OCUN-C, M4SE-8GSSO50M-F, M4SE-8GSSO5UN-F, M4SE-AGS2NC0M-A, M4SE-AGS2NC0M-C, M4SE-AGS2NCUN-A, M4SE-AGS2NCUN-C, M4SE-AGS2N50M-A, M4SE-AGS2N50M-C, M4SE-AGS2N5UN-A, M4SE-AGS2N5UN-C, M4SE-4GSXZC0M-C, M4SE-4GSXZCUN-C, M4SE-4GSXZCUN-F, M4SE-4GSXZ50M-C, M4SE-4GSXZ5UN-C, M4SE-4GSXZ5UN-F, M4SE-8GSYZC0M-A, M4SE-8GSYZC0M-C, M4SE-8GSYZCUN-A, M4SE-8GSYZCUN-C, M4SE-8GSYZCRG-A, M4SE-AGSY8CRG-A, M4SE-AGSY8CRG-C, M4SE-8GSYZCSJ-A, M4SE-8GSYZCSJ-C, M4SE-AGS2N5SJ-C, M4SE-AGS2NCSJ-C, M4SE-AGSY8CSJ-A, M4SE-AGSY8CSJ-C, M4SE-BGS2O5SJ-C, M4SE-BGS2OCSJ-C, M4SE-8GSYZ50M-A, M4SE-8GSYZ50M-C, M4SE-8GSYZ5RG-A, M4SE-8GSYZ5SJ-A, M4SE-8GSYZ5SJ-C, M4SE-8GSYZ5UN-A, M4SE-8GSYZ5UN-C, M4SE-8GSYZ5IK-A, M4SE-8GSYZ5IK-C, M4SE-8GSYZCIK-A, M4SE-8GSYZCIK-C, M4SE-AGS2N5IK-C, M4SE-AGS2NCIK-C, M4SE-AGSY8CIK-A, M4SE-AGSY8CIK-C, M4SE-BGS2O5IK-C, M4SE-BGS2OCIK-C, M4SE-2GSVZ50M-F, M4SE-2GSVZ5UN-F, M4SE-2GSVZC0M-F, M4SE-2GSVZCUN-F, M4SE-2GSVZC0M-G, M4SE-2GSVZCIK-G, M4SE-2GSVZCSJ-G, M4SE-2GSVZCUN-G, M4SE-4GSSN50M-G, M4SE-4GSSN5IK-G, M4SE-4GSSNC0M-G, M4SE-4GSSNCIK-G, M4SE-4GSSNCRG-G, M4SE-4GSSNCSJ-G, M4SE-4GSSNCUN-G, M4SE-4GSXZ50M-G, M4SE-4GSXZ5IK-G, M4SE-4GSXZ5SJ-G, M4SE-4GSXZC0M-G, M4SE-4GSXZCIK-G, M4SE-4GSXZCSJ-G, M4SE-4GSXZCUN-G, M4SE-8GS1N50M-G, M4SE-8GS1N5IK-G, M4SE-8GS1N5RG-G, M4SE-8GS1N5SJ-G, M4SE-8GS1N5UN-G, M4SE-8GS1NC0M-G, M4SE-8GS1NCIK-G, M4SE-8GS1NCSJ-G, M4SE-8GS1NCUN-G, M4SE-8GSSO50M-G, M4SE-8GSSO5IK-G, M4SE-8GSSO5SJ-G, M4SE-8GSSOC0M-G, M4SE-8GSSOCIK-G, M4SE-8GSSOCRG-G, M4SE-8GSSOCSJ-G, M4SE-8GSSOCUN-G, M4SE-AGS1O50M-G, M4SE-AGS1O5IK-G, M4SE-AGS1O5SJ-G, M4SE-AGS1O5UN-G, M4SE-AGS1OC0M-G, M4SE-AGS1OCIK-G, M4SE-AGS1OCSJ-G, M4SE-AGS1OCUN-G, M4SE-4GSV8C0M-G, M4SE-4GSV8CIK-G, M4SE-4GSV8CRG-G, M4SE-4GSV8CSJ-G, M4SE-4GSV850M-G, M4SE-8GSX850M-G, M4SE-8GSX85IK-G, M4SE-8GSX85RG-G, M4SE-8GSX85SJ-G, M4SE-8GSX85UN-G, M4SE-8GSX8C0M-G, M4SE-8GSX8CIK-G, M4SE-8GSX8CRG-G, M4SE-8GSX8CSJ-G, M4SE-8GSX8CUN-G, M4SE-AGSY850M-C, M4SE-AGSY85IK-C, M4SE-AGSY85RG-C, M4SE-AGSY85SJ-C, M4SE-AGSY85UN-C | |||
Produktgrunddaten | ||||
Hersteller | Innodisk | |||
System | ||||
Speicher | Aufbau | 260 Pin SO-DIMM DDR4 | ||
Memory Type | DDR4 | |||
DIMM Type | Unbuffered SO-DIMM | |||
IC Data Rate | 3200 | |||
Kapazität | 2 GB, 4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB | |||
IC Brand | Samsung | |||
IC Organization | 1Gx8, 1Gx16, 2Gx8, 256Mx16, 512Mx8, 512Mx16 | |||
PCB S/N | 8, N, O, Z | |||
Grade | Commercial, Sorting Wide Temperature -40~+85°C, Wide Temperature | |||
CL | 15, 17, 19, 21, 22 | |||
DIMM Datarate | 2133, 2400, 2666, 2933, 3200 | |||
Die Version | A, C, F, G | |||
ECC | wird nicht unterstützt | |||
Stromversorgung | ||||
Eingangsspannung | 1.2V | |||
Mechanik / Umgebung | ||||
Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C, -40° bis 85°C (sorting wide) | ||
Lagerung | -50° bis 100°C | |||
Relative Luftfeuchtigkeit | Betrieb | 10 bis 90%, nicht kondensierend | ||
Lagerung | 5 bis 95%, nicht kondensierend | |||
Abmaße | Formfaktor | SO-DIMM | ||
Tiefe | 70 mm | |||
Höhe | 30 mm | |||
Zertifikate / Konformitäten | ||||
CE | Ja | |||
RoHS konform | Ja |
End of Life (EOL) | |
Key Characteristics of the Change: Due to changes in supply conditions, Innodisk hereby announces the product change plan for all DDR4 Samsung 1xnm IC assembled modules Customer Impact of Change and Recommended Action To minimize the impact of product supply, we suggest speeding up the transition from 1xnm to 1znm IC. We will support you in making this transition smoothly to ensure a seamless process. Please contact Innodisk sales if you have any inquiries. | |
Revision: | D240516 |
Revision date: | 24. Mai 2024 |
Last purchase date: | 30. Juni 2025 |
Last shipping date: | 30. September 2025 |
Betroffene Produkte: |
M4CE-4GSSLW0M-F, M4CE-8GS1SC0M-C, M4CE-8GSSMW0M-F, M4CE-AGS1MW0M-C, M4CE-AGS1TC0M-C, M4CI-4GSSL50K-F, M4CI-4GSSL5RG-F, M4CI-4GSSL5SJ-F, M4CI-4GSSLC0K-F, M4CI-4GSSLCRG-F, M4CI-4GSSLCSJ-F, M4CI-4GSSLW0K-F, M4CI-4GSSLWSJ-F, M4CI-4GSSSC0K-F, M4CI-4GSSSCRG-F, M4CI-4GSSSCSJ-F, M4CI-8GS1L50K-C, M4CI-8GS1L5SJ-C, M4CI-8GS1LC0K-C, M4CI-8GS1LCRG-C, M4CI-8GS1LCSJ-C, M4CI-8GS1SC0K-C, M4CI-8GS1SCSJ-C, M4CI-8GSSM50K-F, M4CI-8GSSMC0K-F, M4CI-8GSSMCRG-F, M4CI-8GSSMCSJ-F, M4CI-8GSSMWSJ-F, M4CI-8GSSTC0K-F, M4CI-8GSSTCRG-F, M4CI-8GSSTCSJ-F, M4CI-AGS1M50K-C, M4CI-AGS1M5RG-C, M4CI-AGS1M5SJ-C, M4CI-AGS1MC0K-C, M4CI-AGS1MCRG-C, M4CI-AGS1MCSJ-C, M4CI-AGS1MWSJ-C, M4CI-AGS1TC0K-C, M4CI-AGS1TCSJ-C, M4CI-BGS2T50K-A, M4CI-BGS2TC0K-A, M4DE-2GSVPC0M-F, M4DE-4GSSIC0M-F, M4DE-4GSSP50M-F, M4DE-4GSSP5IK-F, M4DE-4GSSPC0M-F, M4DE-4GSSPCUN-F, M4DE-4GSSPW0M-F, M4DE-4GSXPC0M-C, M4DE-8GS1IC0M-C, M4DE-8GS1P50M-C, M4DE-8GS1PC0M-C, M4DE-8GS1PCUN-C, M4DE-8GS1PW0M-C, M4DE-8GSSQ50M-F, M4DE-8GSSQC0M-F, M4DE-8GSSQCUN-F, M4DE-8GSSQW0M-F, M4DE-8GSSQWUN-F, M4DE-8GSYPC0M-A, M4DE-AGS1Q50M-C, M4DE-AGS1Q5UN-C, M4DE-AGS1QC0M-C, M4DE-AGS1QCIK-C, M4DE-AGS1QCUN-C, M4DE-AGS1QW0M-C, M4DE-AGS1QWUN-C, M4DE-AGS2P50M-A, M4DE-AGS2P5UN-A, M4DE-AGS2PC0M-A, M4DE-AGS2PCUN-A, M4DE-BGS2Q50M-A, M4DE-BGS2Q5UN-A, M4DE-BGS2QC0M-A, M4DE-BGS2QCUN-A, M4DE-BGS2QW0M-A, M4DE-BGS2QWUN-A, M4DI-2GSVPC0K-F, M4DI-4GSSIC0K-F, M4DI-4GSSICSJ-F, M4DI-4GSSP50K-F, M4DI-4GSSP5RG-F, M4DI-4GSSP5SJ-F, M4DI-4GSSPC0K-F, M4DI-4GSSPCRG-F, M4DI-4GSSPCSJ-F, M4DI-4GSSPWRG-F, M4DI-4GSSPWSJ-F, M4DI-8GS1IC0K-C, M4DI-8GS1P50K-C, M4DI-8GS1P5RG-C, M4DI-8GS1P5SJ-C, M4DI-8GS1PC0K-C, M4DI-8GS1PCRG-C, M4DI-8GS1PCSJ-C, M4DI-8GS1PW0K-C, M4DI-8GS1PWRG-C, M4DI-8GS1PWSJ-C, M4DI-8GSSQ50K-F, M4DI-8GSSQ5RG-F, M4DI-8GSSQ5SJ-F, M4DI-8GSSQC0K-F, M4DI-8GSSQCRG-F, M4DI-8GSSQCSJ-F, M4DI-8GSSQW0K-F, M4DI-8GSSQWRG-F, M4DI-8GSSQWSJ-F, M4DI-AGS1Q50K-C, M4DI-AGS1Q5RG-C, M4DI-AGS1Q5SJ-C, M4DI-AGS1QC0K-C, M4DI-AGS1QCRG-C, M4DI-AGS1QCSJ-C, M4DI-AGS1QW0K-C, M4DI-AGS1QWRG-C, M4DI-AGS1QWSJ-C, M4DI-BGS2Q50K-A, M4DI-BGS2QC0K-A, M4GI-8GSSQ50K-F, M4GI-AGS1Q50K-C, M4GI-BGS2Q50K-A, M4ME-8GS19CIK-C, M4ME-AGS29CIK-A, M4MI-4GSS5CSJ-F, M4MI-4GSSXCSJ-F, M4MI-8GS15CSJ-C, M4MI-8GS1XCSJ-C, M4MI-8GSSYCSJ-F, M4MI-AGS17CSJ-C, M4MI-AGS1YCSJ-C, M4RE-4GSSA50M-F, M4RE-8GS1A50M-C, M4RE-8GSSB50M-F, M4RE-8GSSB5UN-F, M4RE-AGS1B50M-C, M4RE-AGS1B5UN-C, M4RE-AGS1DC0M-C, M4RE-AGS1DCUN-C, M4RE-AGS2A50M-A, M4RE-AGS2CC0M-A, M4RE-AGS2CCUN-A, M4RE-BGS2B50M-A, M4RE-BGS2B5UN-A, M4RE-BGS2DC0M-A, M4RE-BGS2DCUN-A, M4RI-4GSSA50K-F, M4RI-4GSSA5SJ-F, M4RI-4GSSCCRG-F, M4RI-4GSSCCSJ-F, M4RI-8GS1A50K-C, M4RI-8GS1A5RG-C, M4RI-8GS1A5SJ-C, M4RI-8GS1CCSJ-C, M4RI-8GSSB50K-F, M4RI-8GSSDC0K-F, M4RI-8GSSDCRG-F, M4RI-8GSSDCSJ-F, M4RI-AGS1B50K-C, M4RI-AGS1DC0K-C, M4RI-AGS1DCRG-C, M4RI-AGS1DCSJ-C, M4RI-BGS2B50K-A, M4RI-BGS2DC0K-A, M4RI-BGS3G50K-C, M4RI-BGS3G5RG-C, M4RI-BGS3G5SJ-C, M4SE-2GSVZ50M-F, M4SE-2GSVZC0M-F, M4SE-4GSSN50M-F, M4SE-4GSSN5UN-F, M4SE-4GSSNC0M-F, M4SE-4GSSNI0M-F, M4SE-4GSSNIUN-F, 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M4UE-4GSX1C0M-C, M4UE-4GSX1CUN-C, M4UE-4GSX8C0M-C, M4UE-8GS1J50M-C, M4UE-8GS1J5UN-C, M4UE-8GS1JC0M-C, M4UE-8GS1JCUN-C, M4UE-8GS1JI0M-C, M4UE-8GS1VC0M-C, M4UE-8GS1VCUN-C, M4UE-8GSSK50M-F, M4UE-8GSSKC0M-F, M4UE-8GSSKCUN-F, M4UE-8GSSKI0M-F, M4UE-8GSX2C0M-C, M4UE-8GSX2CUN-C, M4UE-8GSY15SJ-A, M4UE-8GSY1C0M-A, M4UE-8GSY1CIK-A, M4UE-8GSY1CUN-A, M4UE-AGS1K50M-C, M4UE-AGS1K5UN-C, M4UE-AGS1KC0M-C, M4UE-AGS1KCUN-C, M4UE-AGS1KI0M-C, M4UE-AGS1WCUN-C, M4UE-AGSY2C0M-A, M4UE-AGSY2CIK-A, M4UE-AGSY2CSJ-A, M4UE-AGSY2CUN-A, M4UE-BGS2K50M-A, M4UE-BGS2K5UN-A, M4UE-BGS2KC0M-A, M4UE-BGS2KCUN-A, M4UE-BGS2KI0M-A, M4UE-BGS2WC0M-A, M4UE-BGS2WCUN-A, M4UI-2GSV1C0K-F, M4UI-2GSV1CRG-F, M4UI-2GSV1CSJ-F, M4UI-4GSSJ50K-F, M4UI-4GSSJ5RG-F, M4UI-4GSSJC0K-F, M4UI-4GSSJCRG-F, M4UI-4GSSJCSJ-F, M4UI-4GSSJI0K-F, M4UI-4GSSJIRG-F, M4UI-4GSSJISJ-F, M4UI-4GSSVC0K-F, M4UI-4GSSVCRG-F, M4UI-4GSSVCSJ-F, M4UI-4GSV2C0K-F, M4UI-4GSV2CRG-F, M4UI-4GSV2CSJ-F, M4UI-4GSX15RG-C, M4UI-4GSX15SJ-C, M4UI-4GSX1C0K-C, M4UI-4GSX1CRG-C, M4UI-4GSX1CSJ-C, M4UI-4GSX8C0K-C, M4UI-4GSX8CSJ-C, M4UI-8GS1J50K-C, M4UI-8GS1J5RG-C, M4UI-8GS1J5SJ-C, M4UI-8GS1JC0K-C, M4UI-8GS1JCRG-C, M4UI-8GS1JCSJ-C, M4UI-8GS1JI0K-C, M4UI-8GS1JISJ-C, M4UI-8GS1VCRG-C, M4UI-8GSSK50K-F, M4UI-8GSSK5RG-F, M4UI-8GSSK5SJ-F, M4UI-8GSSKC0K-F, M4UI-8GSSKCRG-F, M4UI-8GSSKCSJ-F, M4UI-8GSSKI0K-F, M4UI-8GSSKIRG-F, M4UI-8GSSKISJ-F, M4UI-8GSSWC0K-F, M4UI-8GSSWCRG-F, M4UI-8GSSWCSJ-F, M4UI-8GSSWIRG-F, M4UI-8GSSWISJ-F, M4UI-8GSX2C0K-C, M4UI-8GSX2CRG-C, M4UI-8GSX2CSJ-C, M4UI-AGS1K50K-C, M4UI-AGS1K5RG-C, M4UI-AGS1K5SJ-C, M4UI-AGS1KC0K-C, M4UI-AGS1KCRG-C, M4UI-AGS1KCSJ-C, M4UI-AGS1KI0K-C, M4UI-AGS1KIRG-C, M4UI-AGS1KISJ-C, M4UI-AGS1WC0K-C, M4UI-AGS1WCRG-C, M4UI-AGS1WCSJ-C, M4UI-AGS1WIRG-C, M4UI-AGS1WISJ-C, M4UI-BGS2K50K-A, M4UI-BGS2KC0K-A, M4UI-BGS2WC0K-A
|
Hinweis Dokument: | [PCN_D240516] DDR4 product change notice from Samsung 1xnm IC to 1znm IC.pdf |
Product Change Notification (PCN) | |
In an effort to expand Innodisk's DRAM product lines universal usability in applications and devices, Innodisk hereby announces a product change for DRAM modules that are ECC DIMM / RDIMM all product series of standard part numbers, and the DDR4 2933/3200 4/8GB 1 Rank SODIMM W/T of standard part numbers. The customized part numbers would not be impacted. | |
Revision: | 20113001 |
Revision date: | 1. Dezember 2020 |
Last purchase date: | 1. März 2021 |
Last shipping date: | 1. Juni 2021 |
Betroffene Produkte: |
M4MS-AGS1YC0J-B, M4CS-8GS1L50J-B, M4CS-8GS1L5RG-B, M4CS-8GS1LC0J-B, M4CS-8GS1LCRG-B, M4CS-8GS1SC0J-B, M4CS-8GS1SCRG-B, M4CS-AGS1M50J-B, M4CS-AGS1M5RG-B, M4CS-AGS1MC0J-B, M4CS-AGS1MCRG-B, M4CS-AGS1TC0J-B, M4CS-AGS1TCRG-B, M4D0-4GSSPWEM, M4D0-4GSSPWIK, M4D0-4GSSPWRG, M4D0-4GSSPWSJ, M4D0-4GSSPWUN, M4D0-8GM1PWIK, M4D0-8GM1PWRG, M4D0-8GM1PWSJ, M4D0-8GS1PWEM, M4D0-8GS1PWIK, M4D0-8GS1PWRG, M4D0-8GS1PWSJ, M4D0-8GS1PWUN, M4D0-8GSSQWEM, M4D0-8GSSQWIK, M4D0-8GSSQWRG, M4D0-8GSSQWSJ, M4D0-8GSSQWUN, M4D0-AGS1QWEM, M4D0-AGS1QWIK, M4D0-AGS1QWRG, M4D0-AGS1QWSJ, M4D0-AGS1QWUN, M4DI-4GSSP50K-F, M4DI-4GSSP5RG-F, M4DI-4GSSP5SJ-F, M4DI-4GSSPC0K-F, M4DI-4GSSPCRG-F, M4DI-4GSSPCSJ-F, M4DI-4GSSPW0K-F, M4DI-4GSSPWRG-F, M4DI-4GSSPWSJ-F, M4DI-8GS1P50K-C, M4DI-8GS1P5RG-C, M4DI-8GS1P5SJ-C, M4DI-8GS1PC0K-C, M4DI-8GS1PCRG-C, M4DI-8GS1PCSJ-C, M4DI-8GS1PW0K-C, M4DI-8GS1PWRG-C, M4DI-8GS1PWSJ-C, M4DI-8GSSQ50K-F, M4DI-8GSSQ5RG-F, M4DI-8GSSQ5SJ-F, M4DI-8GSSQC0K-F, M4DI-8GSSQCRG-F, M4DI-8GSSQCSJ-F, M4DI-8GSSQW0K-F, M4DI-8GSSQWRG-F, M4DI-8GSSQWSJ-F, M4DI-AGS1Q50K-C, M4DI-AGS1Q5RG-C, M4DI-AGS1Q5SJ-C, M4DI-AGS1QC0K-C, M4DI-AGS1QCRG-C, M4DI-AGS1QCSJ-C, M4DI-AGS1QW0K-C, M4DI-AGS1QWRG-C, M4DI-AGS1QWSJ-C, M4DI-BGS2Q50K-A, M4DI-BGS2QC0K-A, M4DS-8GS1PC0J-B, M4DS-8GS1PCRG-B, M4DS-AGS1Q50J-B, M4DS-AGS1Q5RG-B, M4DS-AGS1QC0J-B, M4DS-AGS1QCRG-B, M4MS-8GS1XC0J-B, M4RS-8GS1A50J-B, M4RS-8GS1A5RG-B, M4RS-8GS1C50J-B, M4RS-8GS1C5RG-B, M4RS-8GS1CC0J-B, M4RS-8GS1CCRG-B, M4RS-AGS1B50J-B, M4RS-AGS1B5RG-B, M4RS-AGS1D50J-B, M4RS-AGS1D5RG-B, M4RS-AGS1DC0J-B, M4RS-AGS1DCRG-B, M4SE-4GSSN50M-F, M4SE-4GSSN5UN-F, M4SE-8GS1N50M-C, M4SE-8GS1N5UN-C, M4SE-8GSSO50M-F, M4SE-8GSSO5UN-F
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Hinweis Dokument: | PCN 20113001- DDR4 EEPROM (with Thermal Sensor) product change notice.pdf |
Innodisk M4SE-2GSVZ50M-F (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 3200, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 256Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | F | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-2GSVZ5UN-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2933, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 256Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | F | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-2GSVZC0M-F (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 3200, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 256Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | F | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-2GSVZC0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 3200, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 256Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-2GSVZCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2666, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
CL | 19 | |||
IC Organization | 256Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2666 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-2GSVZCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2400, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
CL | 17 | |||
IC Organization | 256Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2400 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-2GSVZCUN-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2933, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 256Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | F | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-2GSVZCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2933, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 2 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 256Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSSN50M-F (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 512Mx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | F | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-4GSSN50M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 512Mx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-4GSSN5IK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
CL | 19 | |||
IC Organization | 512Mx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2666 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-4GSSN5UN-F (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 512Mx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | F | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-4GSSNC0M-F (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 512Mx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | F | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSSNC0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 512Mx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSSNCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
CL | 19 | |||
IC Organization | 512Mx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2666 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSSNCRG-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
CL | 15 | |||
IC Organization | 512Mx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2133 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSSNCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
CL | 17 | |||
IC Organization | 512Mx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2400 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSSNCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 512Mx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSV850M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 3200, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 256Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Sorting Wide Temperature -40~+85°C | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | 8 | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-4GSV8C0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 3200, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 256Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | 8 | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSV8CIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2666, 1.2V
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||||
System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
CL | 19 | |||
IC Organization | 256Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2666 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | 8 | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSV8CRG-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2133, 1.2V
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||||
System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
CL | 15 | |||
IC Organization | 256Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2133 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | 8 | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSV8CSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2400, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
CL | 17 | |||
IC Organization | 256Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2400 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | 8 | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSXZ50M-C (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 3200, 1.2V
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||||
System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 512Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-4GSXZ50M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 3200, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 512Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-4GSXZ5IK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2666, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
CL | 19 | |||
IC Organization | 512Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2666 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-4GSXZ5SJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2400, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
CL | 17 | |||
IC Organization | 512Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2400 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-4GSXZ5UN-C (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2933, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 512Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-4GSXZ5UN-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2933, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 512Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | F | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-4GSXZC0M-C (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 3200, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 512Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSXZC0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 3200, 1.2V
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||||
System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 512Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSXZCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2666, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
CL | 19 | |||
IC Organization | 512Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2666 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSXZCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2400, 1.2V
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||||
System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
CL | 17 | |||
IC Organization | 512Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2400 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSXZCUN-C (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2933, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 512Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSXZCUN-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2933, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 512Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | F | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-4GSXZCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2933, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 4 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 512Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GS1N50M-C (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 1Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-8GS1N50M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 1Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-8GS1N5IK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 19 | |||
IC Organization | 1Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2666 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-8GS1N5RG-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 15 | |||
IC Organization | 1Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2133 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-8GS1N5SJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 17 | |||
IC Organization | 1Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2400 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-8GS1N5UN-C (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
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||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 1Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-8GS1N5UN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 1Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-8GS1NC0M-C (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 1Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GS1NC0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 1Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GS1NCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 19 | |||
IC Organization | 1Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2666 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GS1NCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 17 | |||
IC Organization | 1Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2400 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GS1NCUN-C (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 1Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GS1NCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 1Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSSO50M-F (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 512Mx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | F | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-8GSSO50M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 512Mx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-8GSSO5IK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 19 | |||
IC Organization | 512Mx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2666 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-8GSSO5SJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 17 | |||
IC Organization | 512Mx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2400 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-8GSSO5UN-F (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 512Mx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | F | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-8GSSOC0M-F (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 512Mx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | F | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSSOC0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 512Mx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSSOCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 19 | |||
IC Organization | 512Mx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2666 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSSOCRG-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 15 | |||
IC Organization | 512Mx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2133 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSSOCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 17 | |||
IC Organization | 512Mx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2400 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSSOCUN-F (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 512Mx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | F | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSSOCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 512Mx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSX850M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
|
||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 3200, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 512Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | 8 | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-8GSX85IK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
|
||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2666, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 19 | |||
IC Organization | 512Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2666 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | 8 | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-8GSX85RG-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2133, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 15 | |||
IC Organization | 512Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2133 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | 8 | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-8GSX85SJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2400, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 17 | |||
IC Organization | 512Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2400 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | 8 | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-8GSX85UN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
|
||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2933, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 512Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | 8 | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-8GSX8C0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
|
||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 3200, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 512Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | 8 | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSX8CIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2666, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 19 | |||
IC Organization | 512Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2666 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | 8 | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSX8CRG-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2133, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 15 | |||
IC Organization | 512Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2133 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | 8 | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSX8CSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2400, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 17 | |||
IC Organization | 512Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2400 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | 8 | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSX8CUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2933, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 512Mx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | 8 | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSYZ50M-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 3200, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | A | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-8GSYZ50M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 3200, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-8GSYZ5IK-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2666, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 19 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2666 | |||
Die Version | A | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-8GSYZ5IK-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2666, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 19 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2666 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-8GSYZ5RG-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2133, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 15 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2133 | |||
Die Version | A | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-8GSYZ5SJ-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2400, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 17 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2400 | |||
Die Version | A | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-8GSYZ5SJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2400, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 17 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2400 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-8GSYZ5UN-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2933, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | A | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-8GSYZ5UN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2933, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-8GSYZC0M-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 3200, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | A | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSYZC0M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 3200, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSYZCIK-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2666, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 19 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2666 | |||
Die Version | A | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSYZCIK-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2666, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 19 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2666 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSYZCRG-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2133, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 15 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2133 | |||
Die Version | A | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSYZCSJ-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2400, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 17 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2400 | |||
Die Version | A | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSYZCSJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2400, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 17 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2400 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSYZCUN-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2933, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | A | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-8GSYZCUN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2933, 1.2V
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||||
System | Speicher | Kapazität | 8 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | Z | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS1O50M-C (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 1Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-AGS1O50M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 1Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-AGS1O5IK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 19 | |||
IC Organization | 1Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2666 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-AGS1O5SJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
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System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 17 | |||
IC Organization | 1Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2400 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-AGS1O5UN-C (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 1Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-AGS1O5UN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 1Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-AGS1OC0M-C (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 1Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS1OC0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 1Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS1OCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 19 | |||
IC Organization | 1Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2666 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS1OCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 17 | |||
IC Organization | 1Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2400 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS1OCUN-C (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 1Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS1OCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 1Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | G | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS2N50M-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
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||||
System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 2Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | A | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-AGS2N50M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 2Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-AGS2N5IK-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 19 | |||
IC Organization | 2Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2666 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-AGS2N5SJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 2400, 1.2V
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||||
System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 17 | |||
IC Organization | 2Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2400 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-AGS2N5UN-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 2Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | A | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-AGS2N5UN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
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||||
System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 2Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-AGS2NC0M-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
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||||
System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 2Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | A | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS2NC0M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 2Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS2NCIK-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 19 | |||
IC Organization | 2Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2666 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS2NCSJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 2400, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 17 | |||
IC Organization | 2Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2400 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS2NCUN-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
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||||
System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 2Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | A | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGS2NCUN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
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||||
System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 2Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | N | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGSY850M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 3200, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | 8 | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-AGSY85IK-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2666, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 19 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2666 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | 8 | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-AGSY85RG-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2133, 1.2V
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||||
System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 15 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2133 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | 8 | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-AGSY85SJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2400, 1.2V
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||||
System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 17 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2400 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | 8 | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-AGSY85UN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2933, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | 8 | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-AGSY8CIK-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2666, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 19 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2666 | |||
Die Version | A | |||
PCB S/N | 8 | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGSY8CIK-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2666, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 19 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2666 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | 8 | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGSY8CRG-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2133, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 15 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2133 | |||
Die Version | A | |||
PCB S/N | 8 | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGSY8CRG-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2133, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 15 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2133 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | 8 | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGSY8CSJ-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2400, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 17 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2400 | |||
Die Version | A | |||
PCB S/N | 8 | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-AGSY8CSJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2400, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 16 GB | |
CL | 17 | |||
IC Organization | 1Gx16 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2400 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | 8 | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-BGS2O50M-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 2Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | A | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-BGS2O50M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 2Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-BGS2O5IK-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
CL | 19 | |||
IC Organization | 2Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2666 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-BGS2O5SJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2400, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
CL | 17 | |||
IC Organization | 2Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2400 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-BGS2O5UN-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
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System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 2Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | A | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-BGS2O5UN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
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||||
System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 2Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Wide Temperature | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (sorting wide) | |
Innodisk M4SE-BGS2OC0M-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
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||||
System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 2Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | A | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-BGS2OC0M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
CL | 22 | |||
IC Organization | 2Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 3200 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-BGS2OCIK-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
CL | 19 | |||
IC Organization | 2Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2666 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-BGS2OCSJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2400, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
CL | 17 | |||
IC Organization | 2Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2400 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-BGS2OCUN-A (Achtung EOL: LTB 30.06.2025) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
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||||
System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 2Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | A | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C | |
Innodisk M4SE-BGS2OCUN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen Preis: bitte hier anmelden
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||||
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
||||
System | Speicher | Kapazität | 32 GB | |
CL | 21 | |||
IC Organization | 2Gx8 | |||
IC Brand | Samsung | |||
Grade | Commercial | |||
DIMM Datarate | 2933 | |||
Die Version | C | |||
PCB S/N | O | |||
Mechanik / Umgebung | Temperatur | Betrieb | 0° bis 85°C |
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