Innodisk M4RE-4GSSA50M-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 3200 MT/s
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
F |
Innodisk M4RE-4GSSA50M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 3200 MT/s
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4RE-4GSSA5IK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2666 MT/s
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4RE-4GSSA5SJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2400 MT/s
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4RE-4GSSA5UN-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2933 MT/s
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
F |
Innodisk M4RE-4GSSA5UN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2933 MT/s
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4RE-8GH1A50M-E Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 3200 MT/s
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Hynix |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
E |
Innodisk M4RE-8GH1A5UN-E Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2933 MT/s
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Hynix |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
E |
Innodisk M4RE-8GM1A50M-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 3200 MT/s
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4RE-8GM1A5IK-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2666 MT/s
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4RE-8GM1A5UN-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2933 MT/s
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4RE-8GSSB50M-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 3200 MT/s
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
F |
Innodisk M4RE-8GSSB50M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 3200 MT/s
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4RE-8GSSB5IK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2666 MT/s
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4RE-8GSSB5SJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2400 MT/s
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2400 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4RE-8GSSB5UN-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2933 MT/s
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
F |
Innodisk M4RE-8GSSB5UN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2933 MT/s
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
G |
Innodisk M4RE-AGH1B50M-E Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 3200 MT/s
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Hynix |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
E |
Innodisk M4RE-AGH1B5UN-E Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2933 MT/s
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Hynix |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
E |
Innodisk M4RE-AGH2A50M-D Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 3200 MT/s
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Hynix |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
D |
Innodisk M4RE-AGH2A5UN-D Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 2933 MT/s
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Hynix |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
D |
Innodisk M4RE-AGM1B50M-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 3200 MT/s
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4RE-AGM1B5IK-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2666 MT/s
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
2666 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4RE-AGM1B5UN-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2933 MT/s
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
R |
Innodisk M4RE-BGH2B50M-D Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 3200 MT/s
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Hynix |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
D |
Innodisk M4RE-BGH2B5UN-D Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2933 MT/s
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Hynix |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
D |
Innodisk M4RE-BGM2B50M-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 3200 MT/s
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
3200 MT/s |
|
|
Die Version |
F |
Innodisk M4RE-BGM2B5UN-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2933 MT/s
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
2933 MT/s |
|
|
Die Version |
F |