Innodisk M4US-8GSSW50J-E

DDR4

Produkt ist EOL (End Of Life)!

PRODUKT-FEATURES

// DIMM
// DDR4
// 8 GB
// 512Mx8
// - MT/s
// 1.2V

PRODUKTPREIS

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Basismodul: Innodisk M4US-8GSSW50J-E

Allgemein
	SKU / Artikelnummer			M4US-8GSSW50J-E
Produktgrunddaten
	Hersteller			Innodisk
System
	Speicher	Aufbau		288 Pin DIMM DDR4
		Memory Type		DDR4
		DIMM Type		Unbuffered DIMM
		IC Data Rate		2400 MHz
		Kapazität		8 GB
		IC Brand		Samsung
		IC Organization		512Mx8
		PCB S/N		W
		Grade		Wide Temperature -40~+85°C
		CL		17
		DIMM Datarate		Original specification MT/s
		Die Version		E
		ECC		wird nicht unterstützt
		Bestückung		Dual-Rank
		tREFI Parameter 1	Average Periodic Refresh Interval	7.8 µS
			Temperaturbereich	-40°C ~ 85°C
Stromversorgung
	Eingangsspannung			1.2V
Mechanik / Umgebung
	Temperatur	Betrieb		-40° bis 85°C
		Lagerung		-50° bis 100°C
	Relative Luftfeuchtigkeit	Betrieb		10 bis 90%, nicht kondensierend
		Lagerung		5 bis 95%, nicht kondensierend
	Abmaße	Formfaktor		DIMM
		Tiefe		133 mm
		Höhe		19 mm
Zertifikate / Konformitäten
	CE			Ja
	RoHS konform			Ja

End of Life (EOL)

Due to supply condition, Innodisk hereby to announce the product change plan for all of DDR4 2400 Samsung 512x8 E die IC assembled modules. Innodisk is going to process DDR4 2400 Samsung 512x8 E die IC product termination and running change to DDR4 2666 Samsung 512x8 F die IC product series. Include below products: DDR4 2400/2133 512x8 4GB/8GB DRAM Modules.
Revision:	20022701
Revision date:	27. Februar 2020
Last purchase date:	31. Mai 2020
Last shipping date:	31. August 2020
Betroffene Produkte:	M4MS-4GSS5C0J-E, M4MS-4GSSXC0J-E, M4US-8GSSW50J-E, M4CS-4GSSL50J-E, M4CS-4GSSL5RG-E, M4CS-4GSSLC0J-E, M4CS-4GSSLCRG-E, M4CS-4GSSSC0J-E, M4CS-4GSSSCRG-E, M4CS-8GSSM50J-E, M4CS-8GSSMC0J-E, M4CS-8GSSMCRG-E, M4CS-8GSSTC0J-E, M4CS-8GSSTCRG-E, M4DS-4GSSP50J-E, M4DS-4GSSP5RG-E, M4DS-4GSSPC0J-E, M4DS-4GSSPCRG-E, M4DS-8GSSQC0J-E, M4DS-8GSSQCRG-E, M4MS-8GSSYC0J-E, M4RS-4GSSA50J-E, M4RS-4GSSA5RG-E, M4RS-4GSSC50J-E, M4RS-4GSSC5RG-E, M4RS-8GSSB50J-E, M4RS-8GSSB5RG-E, M4RS-8GSSD50J-E, M4RS-8GSSD5RG-E, M4SS-4GSS3C0J-E, M4US-4GSSJ50J-E, M4US-4GSSJ5RG-E, M4US-4GSSVC0J-E, M4US-4GSSVCRG-E, M4US-8GSSK50J-E, M4US-8GSSK5RG-E, M4US-8GSSWC0J-E, M4US-8GSSWCRG-E
Hinweis Dokument:	PCN 20022701-DDR4 2400 Samsung 512Mx8 E die IC Product Change Notice.pdf
Product Change Notification (PCN)

Due to supply condition, Innodisk hereby to announce the product change plan for all of DDR4 2400 Samsung 512x8 E die IC assembled modules. Innodisk is going to process DDR4 2400 Samsung 512x8 E die IC product termination and running change to DDR4 2666 Samsung 512x8 F die IC product series. Include below products: DDR4 2400/2133 512x8 4GB/8GB DRAM Modules.
Revision:	20022701
Revision date:	27. Februar 2020
Last purchase date:	31. Mai 2020
Last shipping date:	31. August 2020
Betroffene Produkte:	M4MS-4GSS5C0J-E, M4MS-4GSSXC0J-E, M4US-8GSSW50J-E, M4CS-4GSSL50J-E, M4CS-4GSSL5RG-E, M4CS-4GSSLC0J-E, M4CS-4GSSLCRG-E, M4CS-4GSSSC0J-E, M4CS-4GSSSCRG-E, M4CS-8GSSM50J-E, M4CS-8GSSMC0J-E, M4CS-8GSSMCRG-E, M4CS-8GSSTC0J-E, M4CS-8GSSTCRG-E, M4DS-4GSSP50J-E, M4DS-4GSSP5RG-E, M4DS-4GSSPC0J-E, M4DS-4GSSPCRG-E, M4DS-8GSSQC0J-E, M4DS-8GSSQCRG-E, M4MS-8GSSYC0J-E, M4RS-4GSSA50J-E, M4RS-4GSSA5RG-E, M4RS-4GSSC50J-E, M4RS-4GSSC5RG-E, M4RS-8GSSB50J-E, M4RS-8GSSB5RG-E, M4RS-8GSSD50J-E, M4RS-8GSSD5RG-E, M4SS-4GSS3C0J-E, M4US-4GSSJ50J-E, M4US-4GSSJ5RG-E, M4US-4GSSVC0J-E, M4US-4GSSVCRG-E, M4US-8GSSK50J-E, M4US-8GSSK5RG-E, M4US-8GSSWC0J-E, M4US-8GSSWCRG-E
Hinweis Dokument:	PCN 20022701-DDR4 2400 Samsung 512Mx8 E die IC Product Change Notice.pdf

Innodisk M4US-8GSSW50J-E

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