Innodisk M4U0-4GSSVCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-4GSSVCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-4GSSVCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-4GSSVCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-4GSSVCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-4GSX8CEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-4GSX8CIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-4GSX8CRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-4GSX8CSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-4GSX8CUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-8GS1VCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-8GS1VCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-8GS1VCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-8GS1VCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-8GS1VCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-8GSSWCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-8GSSWCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-8GSSWCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-8GSSWCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-8GSSWCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-AGM1WCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-AGM1WCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-AGS1WCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-AGS1WCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-AGS1WCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-AGS1WCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-AGS1WCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-BGM2WCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-BGM2WCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-BGS2WCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-BGS2WCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4U0-BGS2WCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |