Innodisk M4U0-8GS1V5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-8GS1V5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-8GS1V5SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-8GS1V5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-8GSSW5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-8GSSW5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-8GSSW5SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-8GSSW5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-AGM1W5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-AGM1W5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-AGS1W5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-AGS1W5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-AGS1W5SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-AGS1W5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-BGS2W5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-BGS2W5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-BGS2W5SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-BGS2W5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |