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|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-4GSSLC0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-4GSSLCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-4GSSLCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-4GSSLCUN-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-4GSSLCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-8GS1L50M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-8GS1L50M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-8GS1L5IK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-8GS1L5SJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-8GS1L5UN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-8GS1L5UN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-8GS1LC0M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-8GS1LC0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-8GS1LCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-8GS1LCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-8GS1LCUN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-8GS1LCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-8GSSM50M-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-8GSSM50M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-8GSSM5IK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-8GSSM5SJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-8GSSM5UN-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-8GSSM5UN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-8GSSMC0M-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-8GSSMC0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-8GSSMCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-8GSSMCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-8GSSMCUN-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-8GSSMCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-AGS1M50M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-AGS1M50M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-AGS1M5IK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-AGS1M5SJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-AGS1M5UN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-AGS1M5UN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-AGS1MC0M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-AGS1MC0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-AGS1MCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-AGS1MCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-AGS1MCUN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-AGS1MCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-AGS2L50M-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-AGS2L50M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-AGS2L5IK-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-AGS2L5SJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-AGS2L5UN-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-AGS2L5UN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-AGS2LC0M-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-AGS2LC0M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-AGS2LCIK-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-AGS2LCSJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-AGS2LCUN-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-AGS2LCUN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-BGS2M50M-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-BGS2M50M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-BGS2M5IK-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-BGS2M5SJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-BGS2M5UN-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-BGS2M5UN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4CE-BGS2MC0M-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-BGS2MC0M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-BGS2MCIK-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-BGS2MCSJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-BGS2MCUN-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4CE-BGS2MCUN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
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CL |
21 |
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IC Organization |
2Gx8 |
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IC Brand |
Samsung |
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Grade |
Commercial |
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DIMM Datarate |
2933 |
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Die Version |
C |
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PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |