Innodisk M4U0-2GSV15EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
1 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-2GSV15IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
1 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-2GSV15RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
1 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-2GSV15SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
1 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-2GSV15UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
1 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-4GSSJ5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
J |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-4GSSJ5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
J |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-4GSSJ5RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
J |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-4GSSJ5SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
J |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-4GSSJ5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
J |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-4GSV25EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
2 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-4GSV25IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
2 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-4GSV25RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
2 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-4GSV25SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
2 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-4GSV25UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
2 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-4GSX15EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
1 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-4GSX15IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
1 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-4GSX15RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
1 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-4GSX15SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
1 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-4GSX15UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
1 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-8GS1J5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
J |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-8GS1J5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
J |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-8GS1J5RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
J |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-8GS1J5SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
J |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-8GS1J5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
J |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-8GSSK5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
K |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-8GSSK5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
K |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-8GSSK5RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
K |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-8GSSK5SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
K |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-8GSSK5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
K |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-8GSX25EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
2 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-8GSX25IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
2 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-8GSX25SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
2 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-8GSX25UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
2 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-8GSY15EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
1 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-8GSY15IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
1 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-8GSY15RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
1 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-8GSY15SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
1 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-8GSY15UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
1 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-AGS1K5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
K |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-AGS1K5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
K |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-AGS1K5RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
K |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-AGS1K5SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
K |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-AGS1K5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
K |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-AGSY25EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
2 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-AGSY25IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
2 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-AGSY25SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
2 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-AGSY25UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
2 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-BGS2K5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
K |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-BGS2K5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
K |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4U0-BGS2K5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
K |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |