Innodisk M4M0-4GSSXCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
MINI DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
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Bestückung |
Single-Rank |
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|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
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|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
X |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4M0-8GS195IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
MINI DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
Bestückung |
Dual-Rank |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
9 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4M0-8GS19CIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
MINI DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
Bestückung |
Single-Rank |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
9 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4M0-8GS1XCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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MINI DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
Bestückung |
Dual-Rank |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
X |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4M0-8GS1XCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
MINI DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
Bestückung |
Single-Rank |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
X |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4M0-8GSSYCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
MINI DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
Bestückung |
Dual-Rank |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
Y |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4M0-8GSSYCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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MINI DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
Bestückung |
Single-Rank |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
Y |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4M0-AGM25CSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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MINI DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
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|
Bestückung |
Single-Rank |
|
|
IC Brand |
Micron |
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|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
6 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4M0-AGS1YCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
MINI DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
Bestückung |
Dual-Rank |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
Y |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4M0-AGS1YCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
MINI DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
Bestückung |
Dual-Rank |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
Y |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4M0-AGS295IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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MINI DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
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|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
Bestückung |
Single-Rank |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
9 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4M0-AGS29CIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
MINI DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
Bestückung |
Dual-Rank |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
9 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4M0-BGM2YCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
MINI DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
Bestückung |
Dual-Rank |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
Y |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |