Innodisk M3SW-2GS

M3SW-2GSFDC0C-I, M3SW-2GSFDCM7-I, M3SW-2GSFDCN9-I, M3SW-2GSFDL0C-I, M3SW-2GSFDLM7-I, M3SW-2GSFDLN9-I, M3SW-2GSJCC0C-F, M3SW-2GSJCCM7-F, M3SW-2GSJCCN9-F, M3SW-2GSJCL0C-F, M3SW-2GSJCLM7-F, M3SW-2GSJCLN9-F

DDR3

Produkt ist EOL (End Of Life)!

PRODUKT-FEATURES

// SO-DIMM
// DDR3
//  2 GB
// [128Mx8 | 256Mx8]
// [1066 | 1333 | -] MT/s
// [1.35V | 1.50V]

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PRODUKTINFORMATIONEN
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Basismodul: Innodisk M3SW-2GS

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM3SW-2GSM3SW-2GSFDC0C-I, M3SW-2GSFDCM7-I, M3SW-2GSFDCN9-I, M3SW-2GSFDL0C-I, M3SW-2GSFDLM7-I, M3SW-2GSFDLN9-I, M3SW-2GSJCC0C-F, M3SW-2GSJCCM7-F, M3SW-2GSJCCN9-F, M3SW-2GSJCL0C-F, M3SW-2GSJCLM7-F, M3SW-2GSJCLN9-F
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau204 Pin SO-DIMM DDR3 / DDR3L
Memory TypeDDR3
DIMM TypeUnbuffered SO-DIMM
IC Data RateDDR3-1600 1.35V MHz
Kapazität2 GB
IC BrandSamsung
IC Organization128Mx8, 256Mx8
PCB S/NC, D
GradeCommercial, Low Voltage Commercial
CL7, 9, 11
DIMM DatarateDDR3-1066 MT/s, DDR3-1333 MT/s, Original specification MT/s
Die VersionF, I
ECCwird nicht unterstützt
Bestückung Dual-Rank, Single-Rank
Stromversorgung
Eingangsspannung1.35V, 1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Tiefe68 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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