Innodisk M4DE-4GSSP50M-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
P |
Innodisk M4DE-4GSSP50M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
P |
Innodisk M4DE-4GSSP5IK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
P |
Innodisk M4DE-4GSSP5SJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
P |
Innodisk M4DE-4GSSP5UN-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
P |
Innodisk M4DE-4GSSP5UN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
P |
Innodisk M4DE-8GS1P50M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
P |
Innodisk M4DE-8GS1P50M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
P |
Innodisk M4DE-8GS1P5IK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
P |
Innodisk M4DE-8GS1P5SJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
P |
Innodisk M4DE-8GS1P5UN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
P |
Innodisk M4DE-8GS1P5UN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
P |
Innodisk M4DE-8GSSQ50M-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
Q |
Innodisk M4DE-8GSSQ50M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
Q |
Innodisk M4DE-8GSSQ5IK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
Q |
Innodisk M4DE-8GSSQ5SJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
Q |
Innodisk M4DE-8GSSQ5UN-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
Q |
Innodisk M4DE-8GSSQ5UN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
Q |
Innodisk M4DE-AGS1Q50M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
Q |
Innodisk M4DE-AGS1Q50M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
Q |
Innodisk M4DE-AGS1Q5IK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
Q |
Innodisk M4DE-AGS1Q5SJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
Q |
Innodisk M4DE-AGS1Q5UN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
Q |
Innodisk M4DE-AGS1Q5UN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
Q |
Innodisk M4DE-AGS2P50M-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
P |
Innodisk M4DE-AGS2P50M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
P |
Innodisk M4DE-AGS2P5IK-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
P |
Innodisk M4DE-AGS2P5SJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
P |
Innodisk M4DE-AGS2P5UN-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
P |
Innodisk M4DE-AGS2P5UN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
P |
Innodisk M4DE-BGS2Q50M-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
Q |
Innodisk M4DE-BGS2Q50M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
Q |
Innodisk M4DE-BGS2Q5IK-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
Q |
Innodisk M4DE-BGS2Q5SJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
Q |
Innodisk M4DE-BGS2Q5UN-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
Q |
Innodisk M4DE-BGS2Q5UN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
Q |