Innodisk M4DE

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DDR4

PRODUKT-FEATURES

SO-DIMM
DDR4
ECC
[2 GB | 4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB]
[1Gx8 | 1Gx16 | 2Gx8 | 256Mx16 | 512Mx8 | 512Mx16]
[2133 | 2400 | 2666 | 2933 | 3200]
1.2V

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk M4DE

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM4DEM4DE-2GSVPC0M-F, M4DE-2GSVPC0M-G, M4DE-2GSVPCIK-G, M4DE-2GSVPCSJ-G, M4DE-2GSVPCUN-F, M4DE-2GSVPCUN-G, M4DE-4GSSPC0M-F, M4DE-4GSSPC0M-G, M4DE-4GSSPCIK-G, M4DE-4GSSPCSJ-G, M4DE-4GSSPCUN-F, M4DE-4GSSPCUN-G, M4DE-4GSXPC0M-C, M4DE-4GSXPC0M-G, M4DE-4GSXPCIK-G, M4DE-4GSXPCSJ-G, M4DE-4GSXPCUN-C, M4DE-4GSXPCUN-G, M4DE-8GS1PC0M-C, M4DE-8GS1PC0M-G, M4DE-8GS1PCIK-G, M4DE-8GS1PCSJ-G, M4DE-8GS1PCUN-C, M4DE-8GS1PCUN-G, M4DE-8GSSQC0M-F, M4DE-8GSSQC0M-G, M4DE-8GSSQCIK-G, M4DE-8GSSQCSJ-G, M4DE-8GSSQCUN-F, M4DE-8GSSQCUN-G, M4DE-8GSYPC0M-A, M4DE-8GSYPC0M-C, M4DE-8GSYPCIK-C, M4DE-8GSYPCSJ-C, M4DE-8GSYPCUN-A, M4DE-8GSYPCUN-C, M4DE-AGS1QC0M-C, M4DE-AGS1QC0M-G, M4DE-AGS1QCIK-G, M4DE-AGS1QCSJ-G, M4DE-AGS1QCUN-C, M4DE-AGS1QCUN-G, M4DE-AGS2PC0M-A, M4DE-AGS2PC0M-C, M4DE-AGS2PCIK-C, M4DE-AGS2PCSJ-C, M4DE-AGS2PCUN-A, M4DE-AGS2PCUN-C, M4DE-BGS2QC0M-A, M4DE-BGS2QC0M-C, M4DE-BGS2QCIK-C, M4DE-BGS2QCSJ-C, M4DE-BGS2QCUN-A, M4DE-BGS2QCUN-C, M4DE-2GSVPCRG-G
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeECC Unbuffered SO DIMM
Kapazität2 GB, 4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandSamsung
IC Organization1Gx8, 1Gx16, 2Gx8, 256Mx16, 512Mx8, 512Mx16
PCB S/NP, Q
CL15, 17, 19, 21, 22
DIMM Datarate2133, 2400, 2666, 2933, 3200
Die VersionA, C, F, G
ECCwird unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Breite69,6 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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