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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 3200, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
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CL |
22 |
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IC Organization |
256Mx16 |
|
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IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
3200 |
Innodisk M4S0-2GSVZ5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
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CL |
19 |
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IC Organization |
256Mx16 |
|
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IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
2666 |
Innodisk M4S0-2GSVZ5RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
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CL |
15 |
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IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
Innodisk M4S0-2GSVZ5SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
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CL |
17 |
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|
IC Organization |
256Mx16 |
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IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
2400 |
Innodisk M4S0-2GSVZ5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
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CL |
21 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
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IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
Innodisk M4S0-4GSSN5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
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CL |
22 |
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IC Organization |
512Mx8 |
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IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
3200 |
Innodisk M4S0-4GSSN5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
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CL |
19 |
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IC Organization |
512Mx8 |
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IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
2666 |
Innodisk M4S0-4GSSN5RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
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CL |
15 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
2133 |
Innodisk M4S0-4GSSN5SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
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CL |
17 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
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IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
2400 |
Innodisk M4S0-4GSSN5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
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CL |
21 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
2933 |
Innodisk M4S0-4GSV85EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
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|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
3200 |
Innodisk M4S0-4GSV85IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
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|
CL |
19 |
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|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
2666 |
Innodisk M4S0-4GSV85RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
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|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
Innodisk M4S0-4GSV85SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
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|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
2400 |
Innodisk M4S0-4GSV85UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
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|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
2933 |
Innodisk M4S0-4GSXZ5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
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|
IC Organization |
512Mx16 |
|
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IC Brand |
Samsung |
|
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3200 |
Innodisk M4S0-4GSXZ5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
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CL |
19 |
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|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
2666 |
Innodisk M4S0-4GSXZ5RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
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|
CL |
15 |
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|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
Innodisk M4S0-4GSXZ5SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
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CL |
17 |
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|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
2400 |
Innodisk M4S0-4GSXZ5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
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CL |
21 |
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|
IC Organization |
512Mx16 |
|
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IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
2933 |
Innodisk M4S0-8GS1N5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
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|
CL |
22 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
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3200 |
Innodisk M4S0-8GS1N5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
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|
CL |
19 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
Innodisk M4S0-8GS1N5RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
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CL |
15 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
Innodisk M4S0-8GS1N5SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
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|
CL |
17 |
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IC Organization |
1Gx8 |
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IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
2400 |
Innodisk M4S0-8GS1N5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
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CL |
21 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
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IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
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Innodisk M4S0-8GSSO5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
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CL |
22 |
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IC Organization |
512Mx8 |
|
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IC Brand |
Samsung |
|
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3200 |
Innodisk M4S0-8GSSO5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
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CL |
19 |
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IC Organization |
512Mx8 |
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IC Brand |
Samsung |
|
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Innodisk M4S0-8GSSO5RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
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|
CL |
15 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
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IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
2133 |
Innodisk M4S0-8GSSO5SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
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IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
2400 |
Innodisk M4S0-8GSSO5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
Innodisk M4S0-8GSX85EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
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|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
Innodisk M4S0-8GSX85IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
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|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
Innodisk M4S0-8GSX85RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
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|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
Innodisk M4S0-8GSX85SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
Innodisk M4S0-8GSX85UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
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|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
Innodisk M4S0-8GSYZ5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
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|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
Innodisk M4S0-8GSYZ5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
Innodisk M4S0-8GSYZ5RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
Innodisk M4S0-8GSYZ5SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
Innodisk M4S0-8GSYZ5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
Innodisk M4S0-AGS1O5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
Innodisk M4S0-AGS1O5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
Innodisk M4S0-AGS1O5RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
Innodisk M4S0-AGS1O5SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
Innodisk M4S0-AGS1O5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
Innodisk M4S0-AGS2N5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
Innodisk M4S0-AGS2N5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
Innodisk M4S0-AGSY85EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 512Mx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
Innodisk M4S0-AGSY85IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 512Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
Innodisk M4S0-AGSY85RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 512Mx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
Innodisk M4S0-AGSY85SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 512Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
Innodisk M4S0-AGSY85UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 512Mx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
Innodisk M4S0-BGS2O5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
3200 |
Innodisk M4S0-BGS2O5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
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CL |
19 |
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IC Organization |
2Gx8 |
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IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
2666 |
Innodisk M4S0-BGS2O5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
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|
CL |
21 |
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IC Organization |
2Gx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
2933 |