Innodisk M4SE-2GSVZ50M-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-2GSVZ50M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-2GSVZ5IK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-2GSVZ5RG-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-2GSVZ5SJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-2GSVZ5UN-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-2GSVZ5UN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-4GSSN50M-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-4GSSN50M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-4GSSN5IK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-4GSSN5SJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-4GSSN5UN-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-4GSSN5UN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-4GSV850M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Sorting Wide Temperature -40~+85°C |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-4GSV85IK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Sorting Wide Temperature -40~+85°C |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-4GSV85RG-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Sorting Wide Temperature -40~+85°C |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-4GSV85SJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Sorting Wide Temperature -40~+85°C |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-4GSV85UN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Sorting Wide Temperature -40~+85°C |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-4GSXZ50M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-4GSXZ50M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-4GSXZ5IK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-4GSXZ5SJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-4GSXZ5UN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-4GSXZ5UN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-8GS1N50M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-8GS1N50M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-8GS1N5IK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-8GS1N5SJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-8GS1N5UN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-8GS1N5UN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-8GSSO50M-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-8GSSO50M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-8GSSO5IK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-8GSSO5SJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-8GSSO5UN-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-8GSSO5UN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-8GSX850M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-8GSX85IK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-8GSX85RG-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-8GSX85SJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-8GSX85UN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-8GSYZ50M-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-8GSYZ50M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-8GSYZ5IK-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-8GSYZ5IK-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-8GSYZ5RG-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-8GSYZ5SJ-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-8GSYZ5SJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-8GSYZ5UN-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-8GSYZ5UN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-AGS1O50M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-AGS1O50M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-AGS1O5IK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-AGS1O5SJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-AGS1O5UN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-AGS1O5UN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-AGS2N50M-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-AGS2N50M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-AGS2N5IK-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-AGS2N5SJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-AGS2N5UN-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-AGS2N5UN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-AGSY850M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-AGSY85IK-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-AGSY85RG-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-AGSY85SJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-AGSY85UN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-BGS2O50M-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-BGS2O50M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-BGS2O5IK-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
C |
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|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-BGS2O5SJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-BGS2O5UN-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
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Die Version |
A |
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|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SE-BGS2O5UN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |