Innodisk M4SI-2GSVZ50K-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SI-2GSVZ5RG-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SI-2GSVZ5SJ-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SI-2GSVZC0K-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-2GSVZCRG-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-2GSVZCSJ-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 2 GB, 256Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-4GSSN50K-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SI-4GSSN5RG-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SI-4GSSN5SJ-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SI-4GSSNC0K-E Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
E |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-4GSSNC0K-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-4GSSNCRG-E Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
E |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-4GSSNCRG-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-4GSSNCSJ-E Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
E |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-4GSSNCSJ-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-4GSSNGRG-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-4GSSNGSJ-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-4GSV8C0K-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-4GSV8CRG-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-4GSV8CSJ-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 256Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-4GSXZ50K-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SI-4GSXZ5RG-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SI-4GSXZ5SJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SI-4GSXZC0K-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-4GSXZCRG-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-4GSXZCSJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
Z |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-8GS1N50K-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SI-8GS1N5RG-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SI-8GS1N5SJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SI-8GS1NC0K-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-8GS1NCRG-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-8GS1NCSJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-8GS1NGRG-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial grade IC& red color PCB |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-8GS1NGSJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial grade IC& red color PCB |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-8GS1OC0K-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-8GS1OCRG-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-8GS1OCSJ-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-8GSSO50K-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SI-8GSSO5RG-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SI-8GSSO5SJ-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SI-8GSSOC0K-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-8GSSOCRG-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-8GSSOCSJ-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-8GSX8C0K-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-8GSX8CRG-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-8GSX8CSJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-AGS1O50K-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SI-AGS1O5RG-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SI-AGS1O5SJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SI-AGS1OC0K-B Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
B |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-AGS1OC0K-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-AGS1OCRG-B Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
B |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-AGS1OCRG-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-AGS1OCSJ-B Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
B |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-AGS1OCSJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
N |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-AGS1OG0K-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial grade IC& red color PCB |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-AGS1OGRG-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial grade IC& red color PCB |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-AGS1OGSJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial grade IC& red color PCB |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4SI-BGS2O50K-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4SI-BGS2OC0K-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
O |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |