Innodisk M4R0 VLP

M4R0-4GSSC5RG, M4R0-4GSSC5SJ, M4R0-4GSSCCRG, M4R0-4GSSCCSJ, M4R0-8GS1C5RG, M4R0-8GS1C5SJ, M4R0-8GS1CCRG, M4R0-8GS1CCSJ, M4R0-8GSSD5IK, M4R0-8GSSD5RG, M4R0-8GSSD5SJ, M4R0-8GSSDCIK, M4R0-8GSSDCRG, M4R0-8GSSDCSJ, M4R0-AGS1D5EM, M4R0-AGS1D5IK, M4R0-AGS1D5RG, M4R0-AGS1D5SJ, M4R0-AGS1D5UN, M4R0-AGS1DCEM, M4R0-AGS1DCIK, M4R0-AGS1DCRG, M4R0-AGS1DCSJ, M4R0-AGS1DCUN, M4R0-AGS2C5EM, M4R0-AGS2C5UN, M4R0-AGS2CCEM, M4R0-AGS2CCIK, M4R0-AGS2CCRG, M4R0-AGS2CCSJ, M4R0-AGS2CCUN, M4R0-BGS2D5IK, M4R0-BGS2DCEM, M4R0-BGS2DCIK, M4R0-BGS2DCUN

DDR4

PRODUKT-FEATURES

DIMM
DDR4
ECC
[4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB]
[1Gx8 | 2Gx8 | 512Mx8]
[2133 | 2400 | 2666 | 2933 | 3200]
1.2V

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk M4R0 VLP

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM4R0 VLPM4R0-4GSSCCRG, M4R0-4GSSCCSJ, M4R0-8GS1CCRG, M4R0-8GS1CCSJ, M4R0-8GSSDCIK, M4R0-8GSSDCRG, M4R0-8GSSDCSJ, M4R0-AGS1DCEM, M4R0-AGS1DCIK, M4R0-AGS1DCRG, M4R0-AGS1DCSJ, M4R0-AGS1DCUN, M4R0-AGS2CCEM, M4R0-AGS2CCIK, M4R0-AGS2CCRG, M4R0-AGS2CCSJ, M4R0-AGS2CCUN, M4R0-BGS2DCEM, M4R0-BGS2DCIK, M4R0-BGS2DCUN, M4R0-4GSSC5RG, M4R0-4GSSC5SJ, M4R0-8GS1C5RG, M4R0-8GS1C5SJ, M4R0-8GSSD5IK, M4R0-8GSSD5RG, M4R0-8GSSD5SJ, M4R0-AGS1D5IK, M4R0-AGS1D5RG, M4R0-AGS1D5SJ, M4R0-AGS1D5EM, M4R0-AGS1D5UN, M4R0-AGS2C5EM, M4R0-AGS2C5UN, M4R0-BGS2D5IK
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau288 Pin DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeRegistered DIMM
IC Data RateNon-Fixed
Kapazität4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandSamsung
IC Organization1Gx8, 2Gx8, 512Mx8
GradeCommercial, Wide Temperature
CL15, 17, 19, 21, 22
DIMM Datarate2133, 2400, 2666, 2933, 3200
Fixed DieNein
ECCwird unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C, -40° bis 85°C (sorting wide)
Lagerung-55° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 90%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Tiefe133 mm
Höhe19 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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