Innodisk M4UE VLP WT

M4UE-8GSSWIIK-G, M4UE-8GSSWIRG-G, M4UE-8GSSWISJ-G, M4UE-AGM1WIIK-R, M4UE-AGM1WIRG-R, M4UE-AGM1WISJ-R, M4UE-AGS1WIIK-G, M4UE-AGS1WIRG-G, M4UE-AGS1WISJ-G

DDR4

PRODUKT-FEATURES

DIMM
DDR4
[8 GB | 16 GB]
[1Gx8 | 512Mx8]
[2133 | 2400 | 2666]
1.2V

KONFIGURATION

Bitte konfigurieren Sie Ihr Wunschprodukt.
Standardkonfiguration Individualkonfiguration

PRODUKTPREIS

Für Ihre persönlichen Preis- und Lieferkonditionen bitte einloggen.

Verkauf nur an gewerbliche Kunden.
Lieferzeit: auf Anfrage

PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk M4UE VLP WT

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM4UE VLP WTM4UE-8GSSWIRG-G, M4UE-8GSSWIIK-G, M4UE-8GSSWISJ-G, M4UE-AGM1WIIK-R, M4UE-AGM1WIRG-R, M4UE-AGM1WISJ-R, M4UE-AGS1WIIK-G, M4UE-AGS1WIRG-G, M4UE-AGS1WISJ-G
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau288 Pin DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeUnbuffered DIMM
Kapazität8 GB, 16 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization1Gx8, 512Mx8
PCB S/NW
GradeWide Temperature
CL15, 17, 19
DIMM Datarate2133, 2400, 2666
Die VersionG, R
ECCwird nicht unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb-40° bis 85°C (wide)
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Breite133,35 mm
Höhe19 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
LinkedIn Twitter Facebook