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SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
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CL |
22 |
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IC Organization |
512Mx8 |
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IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
3200 |
Innodisk M4D0-4GSSPWIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
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CL |
19 |
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IC Organization |
512Mx8 |
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IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
2666 |
Innodisk M4D0-4GSSPWRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
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IC Organization |
512Mx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
2133 |
Innodisk M4D0-4GSSPWSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
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IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
2400 |
Innodisk M4D0-4GSSPWUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
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|
CL |
21 |
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IC Organization |
512Mx8 |
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IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
2933 |
Innodisk M4D0-8GM1PWIK (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
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CL |
19 |
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IC Organization |
1Gx8 |
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IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
2666 |
Innodisk M4D0-8GM1PWRG (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
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CL |
15 |
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IC Organization |
1Gx8 |
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IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
2133 |
Innodisk M4D0-8GM1PWSJ (EOL) Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
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|
IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
2400 |
Innodisk M4D0-8GS1PWEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
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CL |
22 |
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IC Organization |
1Gx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
3200 |
Innodisk M4D0-8GS1PWIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
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CL |
19 |
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IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
2666 |
Innodisk M4D0-8GS1PWRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
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|
CL |
15 |
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IC Organization |
1Gx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
2133 |
Innodisk M4D0-8GS1PWSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
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CL |
17 |
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IC Organization |
1Gx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
2400 |
Innodisk M4D0-8GS1PWUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
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|
DIMM Datarate |
2933 |
Innodisk M4D0-8GSSQWEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
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CL |
22 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
Innodisk M4D0-8GSSQWIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
Innodisk M4D0-8GSSQWRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
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CL |
15 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
Innodisk M4D0-8GSSQWSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
Innodisk M4D0-8GSSQWUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
Innodisk M4D0-AGM1QWIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
Innodisk M4D0-AGM1QWRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
Innodisk M4D0-AGM1QWSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
Innodisk M4D0-AGS1QWEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
3200 |
Innodisk M4D0-AGS1QWIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
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CL |
19 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
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IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
2666 |
Innodisk M4D0-AGS1QWRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
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CL |
15 |
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IC Organization |
1Gx8 |
|
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IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
2133 |
Innodisk M4D0-AGS1QWSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
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CL |
17 |
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IC Organization |
1Gx8 |
|
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IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
2400 |
Innodisk M4D0-AGS1QWUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
2933 |
Innodisk M4D0-BGS2QWEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
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CL |
22 |
|
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IC Organization |
2Gx8 |
|
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IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
3200 |
Innodisk M4D0-BGS2QWUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
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System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
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CL |
21 |
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IC Organization |
2Gx8 |
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IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
2933 |