DDR4 WT
SO-DIMM
DDR4
[4 GB | 8 GB | 16 GB]
[1Gx8 | 512Mx8]
[2133 | 2400 | 2666]
1.2V
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Basismodul: Innodisk M4SI WT
Allgemein | ||||
SKU / Artikelnummer | M4SI WT | |||
Produktgrunddaten | ||||
Hersteller | Innodisk | |||
System | ||||
Speicher | Aufbau | 260 Pin SO-DIMM DDR4 | ||
Memory Type | DDR4 | |||
DIMM Type | Unbuffered SO-DIMM | |||
IC Data Rate | 2666 | |||
Kapazität | 4 GB, 8 GB, 16 GB | |||
IC Brand | Micron, Samsung | |||
IC Organization | 1Gx8, 512Mx8 | |||
Grade | Wide Temperature | |||
CL | 15, 17, 19 | |||
DIMM Datarate | 2133, 2400, 2666 | |||
Die Version | C, E, F | |||
ECC | wird nicht unterstützt | |||
tREFI Parameter 1 | Average Periodic Refresh Interval | 7.8 µS | ||
Temperaturbereich | -40°C ~ 85°C | |||
Stromversorgung | ||||
Eingangsspannung | 1.2V | |||
Mechanik / Umgebung | ||||
Temperatur | Betrieb | -40° bis 85°C (wide) | ||
Lagerung | -55° bis 100°C | |||
Relative Luftfeuchtigkeit | Betrieb | 10 bis 90%, nicht kondensierend | ||
Lagerung | 10 bis 95%, nicht kondensierend | |||
Abmaße | Formfaktor | SO-DIMM | ||
Breite | 69,6 mm | |||
Höhe | 30 mm | |||
Zertifikate / Konformitäten | ||||
CE | Ja | |||
RoHS konform | Ja |
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